时间：2025/9/12 9:52:50
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KU10R25N 是一款由KEC（韩国电子部件公司）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制等高电流需求的电子系统中。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合在高效率、高频开关应用中使用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏源电压（VDS）：25V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.015Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：16nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
KU10R25N 具备多项优异的电气和物理特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，该MOSFET的低导通电阻（RDS(on)）显著降低了在高电流下的导通损耗，从而提高了整体系统的能效。其次，其最大漏极电流为10A，漏源电压为25V，适用于中等功率的电源转换和控制电路。此外，KU10R25N 采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和散热设计。
KU10R25N 的栅极电荷较低（Qg = 16nC），有助于提高开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关应用。其栅源电压范围为±20V，具备较强的抗过压能力，提升了器件在复杂电路环境中的可靠性。同时，该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应广泛的工业环境，具备良好的温度稳定性。
此外，KU10R25N 具有快速开关响应和低电磁干扰（EMI）特性，适用于各类高效率电源转换系统，如同步整流器、DC-DC降压/升压变换器、电池管理系统、马达驱动电路等。整体而言，KU10R25N 是一款性能稳定、可靠性高、性价比优异的功率MOSFET，适用于多种工业和消费类电子产品。
KU10R25N 主要应用于以下领域：电源管理系统，包括同步整流器、DC-DC转换器、AC-DC电源模块等；电池管理系统，如电动工具、无人机、便携式储能设备中的充放电控制电路；马达驱动电路，如小型直流马达、步进马达的控制模块；负载开关，用于智能电源管理中的负载切换和隔离；LED照明驱动电路，用于高亮度LED的恒流控制；以及各种需要高效、低功耗功率开关的嵌入式系统和工业控制设备。
Si2302DS, AO3400, IRF7409, FDS6680, FDN340P
