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MBM29F160BE-70PFTN 发布时间 时间:2025/8/9 19:27:15 查看 阅读:11

MBM29F160BE-70PFTN是一款由富士通(Fujitsu)生产的16MB闪存(Flash Memory)芯片,属于其MBM29F系列的并行NOR Flash存储器。该器件具有高性能和低功耗特性,适用于需要中等容量非易失性存储的应用场景。

参数

容量:16MB(x8/x16)
  工作电压:2.7V至3.6V
  访问时间:70ns
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:并行(CE, OE, WE, ADDR, DATA)
  编程/擦除电压:内部产生,无需高压电源

特性

MBM29F160BE-70PFTN具备多种优异的性能特征。首先,它支持x8和x16两种数据总线宽度模式,提供了更高的灵活性和兼容性。其次,其70ns的访问时间保证了快速的数据读取能力,适用于对速度有一定要求的应用场景。该芯片采用低功耗设计,在待机模式下功耗极低,适合电池供电或对能耗敏感的系统。
  此外,MBM29F160BE-70PFTN内置了命令用户界面(CUUI),允许通过标准的微处理器接口进行编程和擦除操作,简化了软件控制。它还支持扇区擦除和块擦除功能,允许用户灵活地管理存储区域,提升擦写效率。
  该器件的TSOP封装形式有助于节省PCB空间,适用于紧凑型设计。同时,它符合工业级温度范围要求,可在-40°C至+85°C环境下稳定工作,适用于工业控制、通信设备、消费电子产品等广泛领域。

应用

该芯片广泛应用于需要中等容量非易失性存储的场合,例如工业控制系统、嵌入式设备、通信模块、消费电子产品(如数码相机、便携式仪器)以及汽车电子系统等。其可靠的性能和灵活的接口设计使其成为多种嵌入式系统的理想选择。

替代型号

AM29LV160DB-70RE, MX29LV160BBTC-70G, SST39VF1601C-70-4C-NHE

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