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W632GG6MB-11 TR 发布时间 时间:2025/8/20 11:36:48 查看 阅读:13

W632GG6MB-11 TR 是 Winbond 公司生产的一款 NOR Flash 存储器芯片,属于高性能、低功耗的串行闪存产品系列。该器件采用 3V 电源供电,支持 SPI(Serial Peripheral Interface)通信协议,适用于各种嵌入式系统和数据存储应用。W632GG6MB-11 TR 的容量为 64Mbit(8MB),适合用于代码存储、固件更新以及需要高可靠性和稳定性的应用场景。

参数

容量:64Mbit (8MB)
  接口类型:SPI
  电源电压:2.7V - 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:WSON、TSSOP
  读取频率:最大支持 80MHz
  写入/擦除电压:3V
  存储器组织结构:按扇区和块进行擦除
  写保护功能:软件和硬件写保护
  JEDEC 标准引脚排列:符合
  擦除时间:批量擦除时间约 30s,扇区擦除时间约 0.5s
  编程时间:典型值 0.3ms/页

特性

W632GG6MB-11 TR 作为一款高性能 NOR Flash 存储器,具有多个显著的特性,适用于各种嵌入式系统和工业应用。
  首先,W632GG6MB-11 TR 支持标准 SPI 接口,允许与各种微控制器和处理器进行无缝连接。其 SPI 接口最高可支持 80MHz 的时钟频率,确保高速数据传输,适用于需要快速读取和写入的应用场景。此外,该芯片支持多种操作模式,包括单线、双线和四线 SPI 模式,提供更高的灵活性和数据吞吐量。
  其次,该 NOR Flash 芯片具有低功耗设计,支持多种省电模式,包括待机模式和深度掉电模式。在待机模式下,电流消耗可降至微安级别,非常适合电池供电设备或对功耗敏感的应用场景。此外,其擦写操作采用片上充电泵技术,仅需 3V 电源即可完成写入和擦除操作,无需额外的高电压电源,简化了系统设计。
  再者,W632GG6MB-11 TR 提供了多种保护机制,包括软件和硬件写保护功能,防止关键数据被意外修改或擦除。其存储结构由多个可独立擦除的扇区和块组成,支持灵活的存储管理,用户可以根据需求选择擦除特定区域,避免不必要的全片擦除操作,提高系统效率和可靠性。
  此外,该芯片采用先进的工艺制造,具有高可靠性和长达 10 万次的擦写寿命,并支持 20 年的数据保存能力,适用于工业级和汽车级应用环境。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,适用于恶劣环境下的稳定运行。

应用

W632GG6MB-11 TR 因其高性能和高可靠性,广泛应用于多个领域。
  在嵌入式系统中,该芯片常用于存储启动代码、操作系统镜像、应用程序和配置数据。由于其 SPI 接口易于集成,常用于微控制器系统(如 ARM Cortex-M 系列)的外部存储扩展。
  在物联网(IoT)设备中,该芯片用于存储固件、密钥和设备配置信息,特别是在需要低功耗和远程更新功能的设备中,例如智能电表、远程传感器和穿戴设备。
  在工业自动化领域,W632GG6MB-11 TR 用于工业控制器、PLC、HMI 设备以及工业通信模块中,提供稳定的代码和数据存储解决方案。
  此外,该芯片还适用于消费类电子产品,如智能电视、机顶盒、数码相机和智能音响等设备,用于存储系统固件和用户配置数据。
  在汽车电子领域,该芯片可用于车载信息娱乐系统(IVI)、驾驶辅助系统(ADAS)、车载导航和车载通信模块,满足汽车级工作温度和可靠性要求。

替代型号

W25Q64JV, MX25L6433F, S25FL164K, ADESTO AT25SF641

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W632GG6MB-11 TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量2Gb
  • 存储器组织128M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度0°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-VFBGA
  • 供应商器件封装96-VFBGA(7.5x13)