时间：2025/7/4 0:05:23
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IPD30N06S4L23ATMA2 是一款 N 沣道通态 MOSFET 芯片，采用先进的半导体制造工艺设计，适用于多种高效能功率转换和开关应用。该芯片具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，适合于需要高效率和可靠性的电路设计。
这款 MOSFET 的封装形式为 LFPAK56E，具备极佳的散热性能和坚固耐用的设计特点，广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：1.7mΩ
栅极电荷：38nC
开关时间：ton=12ns, toff=18ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低功率损耗。
2. 高电流承载能力，支持高达 30A 的连续漏极电流。
3. 快速开关特性，适合高频应用。
4. 具备强大的抗雪崩能力，提高系统可靠性。
5. 小型化封装 LFPAK56E，优化 PCB 布局和散热管理。
6. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境条件。
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和逆变器控制中的功率级组件。
3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. LED 照明驱动电路中的高效开关元件。
6. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
IPB30N06S4L23ATMA1, IPW30N06S4L23ATMA1
