时间：2025/8/13 12:34:55
阅读：21
LDTD123EWT1G是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件广泛应用于电源管理和DC-DC转换器等需要高效能功率开关的场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流：3.6A
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：8V
导通电阻（Rds(on)）：0.12Ω @ Vgs=4.5V
导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω @ Vgs=2.5V
阈值电压：0.6V ~ 1.2V
封装类型：WLCSP（晶圆级芯片封装）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
LDTD123EWT1G采用了先进的Trench沟槽技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该MOSFET具有快速开关能力，能够有效降低开关损耗，适用于高频应用。其低阈值电压设计允许使用低压控制电路，进一步简化了驱动电路的设计。WLCSP封装形式不仅减小了PCB占用空间，还提升了热性能，确保在高功率密度环境下的稳定运行。
在可靠性方面，LDTD123EWT1G具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在严苛的工作条件下长期运行。该器件符合RoHS环保标准，适用于各类绿色电子设备的设计。其低漏电流特性也有助于减少待机功耗，提高系统的能源利用效率。
LDTD123EWT1G主要应用于电源管理系统，如便携式电子设备的DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。此外，该MOSFET也适用于需要高效能功率开关的汽车电子、工业自动化和通信设备等领域。例如，在笔记本电脑和平板电脑中，LDTD123EWT1G可用于电源管理模块，实现高效的能量转换和分配。在汽车电子系统中，它可以作为负载开关，用于控制各种车载电器的电源供应。
Si2302DS, BSS138, 2N7002, FDN340P
