RPF89007B 时间：2025/5/31 2:05:14 阅读：8

RPF89007B是一款N沟道功率MOSFET，专为高频开关应用而设计。它采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和栅极电荷，能够显著提高效率并减少功率损耗。该器件适用于各种电源管理场景，包括DC-DC转换器、开关电源以及电机驱动等。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：4.1A
　　导通电阻：50mΩ
　　栅极电荷：3nC
　　总栅极电荷：6nC
　　输入电容：220pF
　　反向传输电容：50pF
　　工作结温范围：-55℃至175℃

特性

RPF89007B具有低导通电阻，有助于降低传导损耗，并且其小尺寸封装适合高密度电路设计。此外，该器件具备快速开关速度，可以有效减少开关损耗。
　　由于采用了优化的硅片技术，RPF89007B能够在高频工作条件下保持高效性能。同时，它的热稳定性良好，在高温环境下也能维持可靠的运行状态。
　　另外，此MOSFET具有较低的输入电容和反向传输电容，进一步提高了系统的整体效率。

应用

RPF89007B广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域中的各种电路中。典型应用包括：
　　1. 开关模式电源（SMPS）
　　2. DC-DC转换器
　　3. 负载开关
　　4. 电池管理系统（BMS）
　　5. 小型电机驱动
　　6. 充电器和适配器
　　其卓越的性能使其成为需要高效能和紧凑设计的理想选择。