类型：齐纳二极管
　　封装：SOD-123
　　标称齐纳电压：5.1 V
　　最大齐纳电流：100 mA
　　最大耗散功率：300 mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ 175°C
　　最大反向漏电流：100 nA（在1 V反向电压下）
　　最大齐纳阻抗：10 Ω

1N5367B/TR12具备优异的电压稳定性，能够在广泛的温度和电流变化范围内提供恒定的参考电压。这使得该器件非常适合用于高精度的电压调节和参考电路。
　　该齐纳二极管的SOD-123封装不仅体积小巧，便于在PCB上布局，而且具有良好的热性能，能够有效地将热量散发出去，提高器件的可靠性。
　　其高功率耗散能力（300 mW）使其能够在较高的电流条件下工作，而不至于过热或损坏。
　　此外，1N5367B/TR12还具有较低的齐纳阻抗，这有助于减少由于负载变化引起的电压波动，从而提高系统的整体稳定性。
　　该器件的反向漏电流非常低（100 nA），这在低功耗应用中尤为重要，可以有效减少不必要的能量损耗。

1N5367B/TR12广泛应用于各类电子设备中，特别是在需要稳定电压参考的电路中。常见的应用包括电源稳压电路、电压参考源、电池充电器、保护电路（如过压保护）、模拟和数字电路中的基准电压源等。
　　在电源管理电路中，该齐纳二极管可以作为参考电压源，确保输出电压的稳定性。
　　在电池充电器中，它可以用来设定充电电压的上限，防止电池过充。
　　在保护电路中，1N5367B/TR12可用于检测过压情况，并触发保护机制以防止电路损坏。
　　此外，该器件也常用于仪表和测量设备中，作为高精度的电压参考。

1N5367B/T1G, 1N5367B-TP, BZV55-C5V1