类型：静态随机存取存储器（SRAM）
　　容量：256 Kbit（32K x 8）
　　访问时间：55 ns
　　电源电压：5V
　　封装形式：TSOP
　　引脚数量：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据保持电压：2V
　　封装尺寸：根据具体封装标准

LH52B256NA10PLL 具有以下显著特性：
　　首先，其高速访问时间为55纳秒，使得该芯片适用于需要快速数据访问的场景，例如实时数据处理和高速缓存应用。
　　其次，该芯片采用低功耗CMOS技术，使其在待机模式下功耗极低，非常适合对功耗有严格要求的嵌入式系统和便携设备。
　　第三，该SRAM芯片具备宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于工业级应用环境，能够在恶劣条件下稳定运行。
　　此外，LH52B256NA10PLL 采用54引脚TSOP封装，体积小巧，便于在高密度电路板上布局，提高了系统设计的灵活性。
　　最后，该芯片具备良好的数据保持能力，在低电压（最低2V）下仍可保持数据不丢失，适合用于需要断电数据保持的系统。

LH52B256NA10PLL 广泛应用于多种高性能电子系统中，尤其适用于需要高速访问和低功耗的场合。
　　典型应用包括嵌入式系统的高速缓存、网络设备中的数据缓冲区、工业控制设备中的临时数据存储、通信设备中的协议处理缓存等。
　　此外，该芯片也可用于便携式设备，如手持终端、智能仪表等，其低功耗特性有助于延长设备的电池寿命。
　　在汽车电子领域，LH52B256NA10PLL 也适用于车载导航系统、车身控制模块等场景，其工业级温度范围确保了在严苛环境下的稳定运行。
　　对于需要高可靠性的航空航天和军工设备，该SRAM芯片同样具备良好的适用性。

IS62LV256AL55BLLFT、CY62148EAL55ZS、IDT71V416SA55B