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MBM29F016-90PFTR 发布时间 时间:2025/8/8 21:14:14 查看 阅读:30

MBM29F016-90PFTR是一款由富士通(Fujitsu)制造的闪存(Flash Memory)芯片,容量为16兆位(16Mbit),组织为1M x16。这款芯片属于并行闪存类别,适合需要快速读取和非易失性存储的应用场景。MBM29F016-90PFTR采用56引脚TSOP封装,支持低功耗模式,适用于嵌入式系统、工业控制和便携式设备。该芯片的工作温度范围通常为工业级标准(-40°C至+85°C),使其在恶劣环境中也能可靠运行。

参数

类型:非易失性存储器(Flash Memory)
  容量:16 Mbit
  组织结构:1M x16
  封装类型:56引脚TSOP
  工作电压:3.3V或5V(具体取决于型号后缀)
  访问时间:90ns
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  接口类型:并行(x16)
  写入周期:可承受10万次擦写周期
  数据保持时间:至少10年
  封装尺寸:具体根据封装类型而定

特性

MBM29F016-90PFTR是一款高性能的并行闪存芯片,具备多项技术优势。首先,其90ns的访问时间确保了快速的读取性能,满足嵌入式系统对实时响应的要求。其次,该芯片支持3.3V和5V两种电压供电,提高了在不同系统环境下的兼容性。MBM29F016-90PFTR采用CMOS工艺制造,具备低功耗运行的特点,特别适用于电池供电或对功耗敏感的应用场景。此外,芯片内部集成擦除和编程电路,简化了外部电路设计,降低了系统复杂度。它支持自动擦除和编程功能,并具备硬件写保护机制,有效防止误操作导致的数据丢失或损坏。最后,该芯片符合工业级温度标准,确保在极端环境下的稳定性和可靠性。

应用

MBM29F016-90PFTR适用于多种嵌入式系统和工业控制设备,例如工业自动化控制系统、智能仪表和测量设备、网络和通信设备、汽车电子控制系统、便携式电子设备以及固件存储应用。由于其高可靠性和低功耗特性,它也常用于需要长期稳定运行的系统中。

替代型号

AM29F016D-90RE Am29LV160DB-90WE SST39LF/VF160-55-4C-EK

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