LBC858BWT1G 时间：2025/8/13 23:53:49 阅读：28

LBC858BWT1G 是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率电源转换应用，具有低导通电阻和高功率密度的特性。适用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等多种应用场合。LBC858BWT1G采用先进的沟槽技术，提供出色的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：8A
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：3.1W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　引脚数：3

特性

LBC858BWT1G具备出色的导通性能和热稳定性，其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，提供更高的电流承载能力和更低的开关损耗。
　　其封装形式为TO-252（DPAK），便于在PCB上安装并具有良好的散热性能。
　　该MOSFET具有良好的抗雪崩能力和高可靠性，适用于要求严苛的工业和汽车电子应用。
　　此外，LBC858BWT1G还具备快速开关特性，适用于高频开关电源和电机控制等应用。

应用

LBC858BWT1G广泛应用于各种电力电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。
　　在工业自动化和电机控制领域，该器件可作为高效率开关使用，提升系统整体能效。
　　此外，LBC858BWT1G也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统。
　　由于其优异的热性能和可靠性，该器件也可用于需要高稳定性的通信电源和服务器电源系统。