时间：2025/10/7 8:29:13
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UPM2AR68MDD是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于该公司UPM系列的高密度、高性能贴片电容产品线，专为现代高可靠性电子系统设计。UPM2AR68MDD采用先进的陶瓷材料与制造工艺，具备优异的电气性能和机械稳定性，适用于对空间紧凑性、高频响应及温度稳定性要求较高的应用场景。该电容器通常用于电源去耦、噪声滤波、信号耦合以及DC-DC转换器等电路中，能够有效提升系统的抗干扰能力和整体稳定性。其小型化封装符合当前电子产品向轻薄短小发展的趋势，同时保持了良好的耐电压特性和低等效串联电阻（ESR），有助于减少发热并提高能效。
作为一款额定电压为100V、标称电容值为6.8μF的X5R特性陶瓷电容，UPM2AR68MDD在宽温度范围内（-55°C至+85°C）能够保持稳定的电容性能，电容容差为±20%。其结构采用叠层设计，内部电极交替排列，从而实现高容量与小尺寸的结合。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的焊接可靠性和抗热冲击能力，适合回流焊工艺。由于其出色的频率响应特性，该电容在高频开关电源和高速数字电路中表现出色，是替代传统钽电容和铝电解电容的理想选择之一。
电容值：6.8μF
容差：±20%
额定电压：100V
温度特性：X5R
工作温度范围：-55°C ~ +85°C
封装尺寸：3225（公制：8060）
尺寸（长×宽×高）：3.2mm × 2.5mm × 1.6mm
介质材料：陶瓷（BaTiO3基）
直流偏压特性：典型值在100V下电容下降约40%
等效串联电阻（ESR）：典型值低于10mΩ（频率相关）
等效串联电感（ESL）：典型值约为0.5nH
绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C×V ≥ 1000Ω·F
老化率：≤2.5% / decade hour
包装形式：卷带编装，支持自动贴片
UPM2AR68MDD具有卓越的电容稳定性和温度适应能力，基于X5R类电介质材料，在-55°C到+85°C的工作温度区间内，电容值变化控制在±15%以内，满足大多数工业与消费类电子设备的需求。这一特性使其能够在环境温度波动较大的应用场合中维持电路性能的一致性，避免因电容漂移导致的系统不稳定问题。同时，该电容在直流偏压作用下的电容保持率表现良好，尽管在接近额定电压时会出现一定程度的容量衰减（典型值约40%），但仍能提供足够的有效储能能力，适用于DC-DC变换器输出滤波等需要持续稳定电容支持的场景。
该器件采用了高精度叠层制造技术，实现了在3225小型封装内集成高达6.8μF的电容容量，极大提升了单位体积内的电容密度。这种高密度设计有助于节省PCB布局空间，特别适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及便携式医疗仪器等对空间高度敏感的产品。此外，其低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性显著降低了高频工作下的能量损耗和电压纹波，增强了电源系统的动态响应能力。
UPM2AR68MDD具备出色的机械强度和抗热循环能力，能够承受多次回流焊过程而不发生裂纹或性能劣化。其端电极采用镍阻挡层和锡覆盖结构，确保良好的可焊性和长期可靠性。该电容还通过了AEC-Q200等车规级可靠性测试，可用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块等对元器件寿命和稳定性要求严苛的应用领域。另外，由于不含铅且符合RoHS指令，该器件支持绿色电子制造流程。
UPM2AR68MDD广泛应用于各类需要高性能去耦和滤波功能的电子系统中。在电源管理电路中，它常被用作开关电源（如Buck、Boost转换器）的输入和输出滤波电容，有效抑制电压波动和高频噪声，提高电源效率和稳定性。其低ESR特性尤其适合高频DC-DC转换器，可显著降低输出纹波电压，保障后级敏感电路的正常运行。此外，在FPGA、ASIC、微处理器和高速存储器等数字IC的电源引脚附近，该电容作为局部去耦元件，能够快速响应瞬态电流变化，防止地弹和电源塌陷现象的发生。
在通信设备中，UPM2AR68MDD可用于射频模块的偏置电路旁路和信号路径耦合，凭借其宽频带响应和平坦的阻抗特性，有助于提升信号完整性。在汽车电子领域，该电容适用于车载摄像头、雷达模块、车载显示系统和车身控制单元中的电源滤波环节，满足车规级温度与振动要求。工业控制系统、PLC模块、传感器接口电路也普遍采用此类高可靠性MLCC以增强抗干扰能力。此外，消费类电子产品如智能手机、笔记本电脑、无线耳机和智能家居设备同样依赖此类小型化高容值电容来实现紧凑设计与高效能兼顾的目标。
GRM32DR71H686ME01L
CL32A686MCJNNNE
C3225X5R1H686M20T
