类型：Flash Memory
　　容量：16Mbit (2MB)
　　组织形式：1M x 16位
　　电压：3.3V 或 5V（根据具体版本）
　　访问时间：90ns
　　封装：TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　工作模式：异步
　　接口类型：并行
　　编程电压：内部产生（支持单电源操作）

MBM29DL161TE-90PFTN具备多项高性能和可靠性特点。其高速访问时间为90ns，能够满足嵌入式系统和工业控制应用中对快速读取的需求。该芯片支持单电源供电（3.3V或5V），简化了电源设计并降低了功耗。内置的编程和擦除算法使得该器件可以在系统中进行编程操作，而无需外部高压源。其采用TSOP封装形式，适合高密度电路板设计，并具有良好的热稳定性和机械可靠性。此外，该芯片还支持扇区保护功能，可以对特定存储区域进行写保护，从而提高系统数据安全性。
　　MBM29DL161TE-90PFTN还具备高耐用性和数据保持能力，可承受数万次的编程/擦除周期，并在断电情况下保持数据长达10年以上。该器件兼容JEDEC标准接口，便于与多种微控制器和嵌入式平台集成。此外，富士通为其提供完善的技术支持文档和开发工具，方便用户进行硬件设计和固件开发。

MBM29DL161TE-90PFTN广泛应用于需要高可靠性、非易失性存储的嵌入式系统中。典型应用包括工业控制系统、通信设备（如路由器和交换机）、测试测量仪器、医疗设备和消费类电子产品中的固件存储。该芯片的高速读取能力使其适用于需要快速启动和执行代码的应用，例如基于NOR Flash的XIP（Execute In Place）系统。此外，其扇区保护功能可有效防止关键系统数据的意外修改，因此在需要高数据完整性的场景中也表现出色。

MBM29DL163TE-90PFTN, AM29LV160DB-90RE, MX29LV160EBTC-90G