型号：MBM27C128-25
　　制造商：Fujitsu (Spansion)
　　存储容量：128 Kbit
　　组织结构：16K x 8 bits
　　工艺技术：CMOS
　　封装类型：28-pin DIP, 28-pin PLCC
　　工作电压：+5V ±10%
　　访问时间：250 ns
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　输入逻辑电平：TTL 兼容
　　编程电压：+12.5V 或 +21V（取决于具体版本）
　　编程脉冲宽度：50 μs 典型值
　　数据保持时间：典型值10年（在额定工作条件下）
　　擦除方式：紫外线擦除（波长253.7nm，能量≥15W-sec/cm2）
　　待机电流：≤100 μA @ Vcc = 5V
　　工作电流：≤75 mA @ f = 1MHz

MBM27C128-25具备多项关键特性，使其成为当时广泛应用的EPROM器件之一。首先，其采用先进的CMOS制造工艺，显著降低了功耗，尤其在待机模式下电流消耗极低，适用于对功耗敏感的应用场景。与早期的NMOS EPROM相比，CMOS工艺不仅提升了能效，还增强了抗噪声能力和热稳定性。其次，该芯片提供250ns的快速访问时间，能够满足大多数微处理器系统的时序要求，支持高速读取操作，确保系统运行的流畅性。其16K x 8位的数据组织结构便于与8位微控制器和微处理器直接接口，无需额外的数据总线扩展逻辑，简化了系统设计。此外，MBM27C128-25支持标准+5V电源供电，兼容TTL电平输入，方便集成到各种数字系统中，无需复杂的电源管理电路。
　　该器件内置芯片使能（CE）和输出使能（OE）控制信号，允许精确控制数据输出，支持多芯片系统中的地址空间扩展和片选逻辑。编程过程中需要施加较高的编程电压（通常为+12.5V或+21V），以确保数据可靠写入浮栅晶体管，编程脉冲宽度一般为50μs，编程算法由外部编程器控制。为了保证长期数据保存，芯片采用高质量封装并配备透明石英窗口，既允许紫外线有效穿透实现全片擦除，又能防止环境光误触发擦除操作。数据保持时间典型值可达10年以上，符合工业级应用标准。此外，MBM27C128-25经过严格的老化测试和可靠性验证，具备出色的抗辐射、抗静电（ESD）能力，适合在复杂电磁环境中稳定运行。其引脚布局遵循行业标准，便于PCB布线和替换升级。虽然现代系统更多采用电可擦除的EEPROM或Flash，但MBM27C128-25因其可重复擦写、物理可见擦除状态和无需电池备份的优点，在教学演示、固件开发调试及某些特殊工业控制系统中仍有不可替代的作用。

MBM27C128-25广泛应用于多种需要非易失性程序存储的电子系统中。在嵌入式控制系统领域，它常用于存储微控制器的启动代码、固件程序或配置参数，例如在工业自动化设备、数控机床、PLC（可编程逻辑控制器）中作为主程序存储器。由于其数据在断电后不会丢失且可通过紫外线擦除重复使用，非常适合产品原型开发和小批量生产阶段的程序调试。在通信设备中，该芯片曾用于存储调制解调器、网络接口卡或电话交换设备中的协议处理代码。在消费类电子产品方面，如老式游戏机、电子乐器和家用电器控制器中，也常见其身影。此外，MBM27C128-25在计算机外围设备中发挥重要作用，例如打印机、绘图仪和磁盘驱动器控制器中用于存放控制固件。教育和科研机构常将其用于数字电路实验平台和微机原理教学实验箱，帮助学生理解存储器工作原理、地址译码机制和编程烧录过程。由于其封装带有透明窗口，用户可以直观观察芯片是否已被擦除（例如贴上标签防止误曝光），增强了使用的安全性与可控性。即使在当前，该芯片仍被用于老旧设备的维修与替换，尤其是在无法获取原厂定制ASIC或缺乏现代闪存兼容接口的场合。此外，在航空航天和军事领域的部分 legacy 系统中，因认证周期长、更换成本高，仍在继续使用此类经过验证的成熟元器件。因此，MBM27C128-25不仅是一个历史性的存储解决方案，也在特定应用场景中保持着实用价值。

27C128, AM27C128, TC57128, SST39SF010A, AT27C128