MDMA140P1200TG 是一款由Microsemi(现为L3Harris Technologies的一部分)制造的MOSFET功率晶体管。该器件属于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)类别,具有高功率处理能力和高效的开关特性。该型号采用先进的制造工艺和封装技术,适用于需要高电压和高电流处理能力的应用场合。MDMA140P1200TG 通常用于工业电源、逆变器、电机驱动和高功率开关电路中。
类型:功率MOSFET
漏源电压(VDS):1200V
漏极电流(ID):140A
导通电阻(RDS(on)):典型值约为15mΩ(具体值取决于测试条件)
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装类型:TO-264或类似高功率封装
栅极电荷(Qg):通常在几百nC范围内
功耗(Ptot):根据散热条件不同而变化,典型值可高达数百瓦特
MDMA140P1200TG 具有多个关键特性,使其适用于高功率应用。首先,其高耐压能力(1200V)和大电流处理能力(140A)使其能够承受极端的工作条件。其次,低导通电阻(RDS(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定工作。其快速开关特性也使其适用于高频开关应用,减少开关损耗并提高系统响应速度。最后,该器件采用高功率封装,便于散热和安装,适用于需要高效热管理的设计。
MDMA140P1200TG 主要应用于需要高功率密度和高效能的系统中。例如,在工业电源系统中,它可用于整流器、逆变器和DC-DC转换器。在电机驱动和变频器中,该MOSFET可用于高效控制大功率电机。此外,它也适用于不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等高功率电子设备。由于其优异的电气和热性能,MDMA140P1200TG 还可用于各种开关电源和负载开关应用。
IXFH140N120(IXYS)、FF140R12KS4_B11(Infineon)、AUIRF140N120D(Infineon)