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MDMA140P1200TG 发布时间 时间:2025/8/6 6:13:54 查看 阅读:37

MDMA140P1200TG 是一款由Microsemi(现为L3Harris Technologies的一部分)制造的MOSFET功率晶体管。该器件属于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)类别,具有高功率处理能力和高效的开关特性。该型号采用先进的制造工艺和封装技术,适用于需要高电压和高电流处理能力的应用场合。MDMA140P1200TG 通常用于工业电源、逆变器、电机驱动和高功率开关电路中。

参数

类型:功率MOSFET
  漏源电压(VDS):1200V
  漏极电流(ID):140A
  导通电阻(RDS(on)):典型值约为15mΩ(具体值取决于测试条件)
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-264或类似高功率封装
  栅极电荷(Qg):通常在几百nC范围内
  功耗(Ptot):根据散热条件不同而变化,典型值可高达数百瓦特

特性

MDMA140P1200TG 具有多个关键特性,使其适用于高功率应用。首先,其高耐压能力(1200V)和大电流处理能力(140A)使其能够承受极端的工作条件。其次,低导通电阻(RDS(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定工作。其快速开关特性也使其适用于高频开关应用,减少开关损耗并提高系统响应速度。最后,该器件采用高功率封装,便于散热和安装,适用于需要高效热管理的设计。

应用

MDMA140P1200TG 主要应用于需要高功率密度和高效能的系统中。例如,在工业电源系统中,它可用于整流器、逆变器和DC-DC转换器。在电机驱动和变频器中,该MOSFET可用于高效控制大功率电机。此外,它也适用于不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等高功率电子设备。由于其优异的电气和热性能,MDMA140P1200TG 还可用于各种开关电源和负载开关应用。

替代型号

IXFH140N120(IXYS)、FF140R12KS4_B11(Infineon)、AUIRF140N120D(Infineon)

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MDMA140P1200TG参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥302.81000盒
  • 系列-
  • 包装
  • 产品状态在售
  • 二极管配置1 对串联
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)140A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.18 V @ 140 A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏200 μA @ 1200 V
  • 工作温度 - 结-40°C ~ 150°C
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳TO-240AA
  • 供应商器件封装TO-240AA