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SB2P-HVQ-CA-B(LF)(SN) 发布时间 时间:2025/10/11 5:20:58 查看 阅读:8

SB2P-HVQ-CA-B(LF)(SN) 是一款由 Vishay Semiconductor 出产的表面贴装肖特基势垒整流器,采用双二极管共阴极配置,专为高效率、低电压应用设计。该器件基于先进的平面技术制造,具备优良的热稳定性和可靠性,广泛应用于开关模式电源、DC-DC 转换器、逆变器以及极性保护电路中。其封装形式为 SMC(DO-214AB),具有较高的功率密度和良好的散热性能,适合在空间受限但要求高性能的电子设备中使用。该型号符合 RoHS 指令,采用无铅(LF)工艺制造,并支持工业级工作温度范围,确保在多种环境下稳定运行。由于其低正向压降和快速开关特性,SB2P-HVQ-CA-B(LF)(SN) 在提升系统整体能效方面表现优异,是现代便携式电子产品和电源管理系统中的理想选择之一。

参数

产品类型:肖特基势垒二极管
  配置:双二极管共阴极
  最大重复反向电压(VRRM):200 V
  最大直流反向电压(VR):200 V
  平均整流电流(IO):2 A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):60 A
  最大正向电压(VF):1.05 V(在 2 A, TJ = 125°C 条件下)
  最大反向漏电流(IR):200 μA(在 25°C)至 2 mA(在 125°C)
  工作结温范围(TJ):-55 °C 至 +150 °C
  存储温度范围(TSTG):-55 °C 至 +150 °C
  封装/外壳:SMC(DO-214AB)
  安装类型:表面贴装(SMD)
  引脚数:2
  无铅状态:无铅 / 符合 RoHS
  极性:共阴极

特性

SB2P-HVQ-CA-B(LF)(SN) 具备出色的电气与热性能,其核心优势在于采用了先进的平面肖特基势垒技术,实现了较低的正向导通压降与极快的开关响应速度。在 2 A 的工作电流下,其典型正向压降仅为 0.85 V,在高温条件下(125°C)最大值也控制在 1.05 V 以内,显著降低了导通损耗,提升了电源转换效率。由于肖特基二极管本身不具备少数载流子存储效应,因此不存在反向恢复时间(trr ≈ 0),这使得该器件在高频开关应用中表现出色,有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI)。
  该器件的反向耐压高达 200 V,适用于中等电压等级的电源拓扑结构,如反激式、正激式及 LLC 谐振转换器。尽管传统上肖特基二极管在高压段存在漏电流较大的问题,但 SB2P-HVQ-CA-B(LF)(SN) 通过优化的半导体工艺和钝化层设计,将高温下的反向漏电流控制在 2 mA 以内,保证了高温环境下的稳定性与可靠性。此外,其高达 60 A 的峰值浪涌电流能力使其能够承受突发的输入过流或开机冲击,增强了系统的鲁棒性。
  封装方面,SMC(DO-214AB)是一种广泛应用的表面贴装封装,具备良好的散热性能和机械强度。该封装允许自动化贴片生产,提高了组装效率和一致性。器件的工作结温范围宽达 -55°C 至 +150°C,可在严苛的工业、汽车及消费类环境中可靠运行。同时,该型号通过了 AEC-Q101 认证的可能性较高(需查证具体批次),适用于对可靠性要求较高的应用场景。无铅设计和符合 RoHS 标准也使其满足现代环保法规要求。

应用

SB2P-HVQ-CA-B(LF)(SN) 广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电源系统中。典型应用场景包括:开关模式电源(SMPS),特别是在反激式和正激式拓扑中作为次级侧整流元件;DC-DC 升压或降压转换器中的续流与输出整流二极管;用于电池充电管理电路中的防倒灌二极管;以及逆变器和电机驱动电路中的自由轮续流路径。由于其共阴极双二极管结构,特别适合半波倍压整流或双路输出同步整流辅助电路。此外,该器件也常用于交流适配器、LED 驱动电源、电信设备电源模块、消费类电子产品(如笔记本电脑、路由器、智能电视)的内部电源单元。在太阳能微逆变器和小型可再生能源系统中,也可用于防止电池反向放电。其高效率特性有助于降低系统温升,提升能量利用率,符合当前节能与小型化的技术趋势。

替代型号

SB2P-HVQ-CA

封装

SMC (DO-214AB)

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