时间：2025/4/28 18:05:50
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TF050N04N是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率控制应用。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度的特点，适合于各种电源管理场景，例如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等应用。
TF050N04N采用了先进的制造工艺，能够在高频工作条件下提供高效的性能表现，同时保持较低的功耗。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：50A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：35nC
输入电容：1800pF
总热阻（结到环境）：50℃/W
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，可显著降低功率损耗。
2. 高电流处理能力，支持高达50A的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，减少开关损耗并提升效率。
4. 耐雪崩能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
5. 小型化封装设计，便于布局和节省PCB空间。
6. 宽工作温度范围，适用于恶劣环境下的应用。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。
3. 电动工具及小型电机驱动中的功率开关。
4. 电池管理系统（BMS）中的保护开关。
5. 汽车电子系统中的负载控制。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N
STP55NF06
FDP55N06L
