时间：2025/12/28 16:57:30
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MBM200HS6B是一种大功率高压MOSFET晶体管，常用于高电压和高电流应用中。这种器件具备良好的导电性能和高阻断电压能力，适用于工业电机控制、电源转换、照明系统以及电动车辆驱动器等多种场景。MBM200HS6B通常采用先进的制造工艺，确保其在高温和高压环境下仍能保持稳定工作。
类型：MOSFET，高压，大功率
最大漏极电流：200A
最大漏极-源极电压（Vds）：600V
最大栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约0.022Ω（典型值）
功率耗散：约300W（Tc=25℃）
工作温度范围：-55℃～+150℃
封装类型：TO-247AC或类似大功率封装
MBM200HS6B具有极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，它具备优异的热稳定性，能够在高电流负载下保持较低的温度上升。该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和逆变器。其高耐压能力（600V）使其在高压电源系统中表现优异。
该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，增强了系统在异常情况下的稳定性。此外，MBM200HS6B采用优化的封装设计，提供良好的散热性能，确保长期可靠运行。其栅极驱动特性较为温和，适用于常见的MOSFET驱动电路。
MBM200HS6B广泛应用于各种高功率电子系统中，包括工业变频器、电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及高压电源模块。此外，它还可用于LED照明驱动器和大功率开关电源设计中，满足高效率和高可靠性的需求。
IXFN200N60P、IXFH200N60P、STY200N60M5、SPW20N60CFD、IRGPC50K
