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2SB1427T100E 发布时间 时间:2025/6/28 20:37:52 查看 阅读:9

2SB1427T100E 是一款双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),主要用于放大和开关应用。该型号属于 Toshiba 公司生产的达林顿对晶体管系列,具有高增益、低饱和电压的特性,适用于各种工业控制、电机驱动和电源管理场景。
  这款晶体管采用 TO-263 封装形式,具备较高的电流承载能力和散热性能。由于其出色的电气性能,广泛应用于需要高增益放大的场合。

参数

集电极-发射极击穿电压:80V
  集电极最大连续电流:10A
  功耗:100W
  直流电流增益(hFE):5000(最小值)
  存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

2SB1427T100E 的主要特性包括:
  1. 高电流增益,使其非常适合于驱动大电流负载的应用。
  2. 较低的饱和电压,有助于提高效率并减少热量损耗。
  3. 达林顿配对结构,提供更高的增益性能。
  4. TO-263 封装设计,便于安装和散热处理。
  5. 宽温度范围支持,适合恶劣环境下的应用。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

该晶体管常用于以下领域:
  1. 工业自动化中的继电器驱动和电磁阀控制。
  2. 各类电机启动和调速控制电路。
  3. 开关电源和 DC-DC 转换器中的开关元件。
  4. 照明控制系统中的 LED 或白炽灯驱动。
  5. 通信设备中的信号放大与传输。
  6. 汽车电子中的负载切换和功率控制。

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2SB1427T100E参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 50mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)390 @ 500mA,6V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换90MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装MPT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SB1427T100E-ND2SB1427T100ETR