2SB1427T100E 是一款双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT),主要用于放大和开关应用。该型号属于 Toshiba 公司生产的达林顿对晶体管系列,具有高增益、低饱和电压的特性,适用于各种工业控制、电机驱动和电源管理场景。
这款晶体管采用 TO-263 封装形式,具备较高的电流承载能力和散热性能。由于其出色的电气性能,广泛应用于需要高增益放大的场合。
集电极-发射极击穿电压:80V
集电极最大连续电流:10A
功耗:100W
直流电流增益(hFE):5000(最小值)
存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
2SB1427T100E 的主要特性包括:
1. 高电流增益,使其非常适合于驱动大电流负载的应用。
2. 较低的饱和电压,有助于提高效率并减少热量损耗。
3. 达林顿配对结构,提供更高的增益性能。
4. TO-263 封装设计,便于安装和散热处理。
5. 宽温度范围支持,适合恶劣环境下的应用。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
该晶体管常用于以下领域:
1. 工业自动化中的继电器驱动和电磁阀控制。
2. 各类电机启动和调速控制电路。
3. 开关电源和 DC-DC 转换器中的开关元件。
4. 照明控制系统中的 LED 或白炽灯驱动。
5. 通信设备中的信号放大与传输。
6. 汽车电子中的负载切换和功率控制。
2SD1427T100E