20SEQP150M是一款由ONSEMI(安森美)公司生产的肖特基势垒二极管阵列,采用共阴极配置,适用于高效率、高频开关电源应用。该器件由两个独立的肖特基二极管组成,封装在紧凑的PowerTight? D2PAK封装中,具有低正向压降和快速反向恢复特性,能够显著提升电源转换效率并减少热损耗。20SEQP150M特别适合用于服务器电源、电信设备电源、DC-DC转换器以及逆变器等对能效和散热性能要求较高的场合。
该器件的最大重复峰值反向电压(VRRM)为150V,每芯片平均整流电流为20A,具备优异的浪涌电流承受能力,能够应对瞬态负载变化带来的冲击。其低热阻设计和坚固的封装结构使其在高温环境下仍能保持稳定工作,增强了系统的可靠性与寿命。此外,20SEQP150M符合RoHS环保标准,并通过了AEC-Q101汽车级认证,表明其不仅适用于工业级应用,也可用于部分严苛环境下的车载电源系统。
作为一款高性能肖特基二极管模块,20SEQP150M在替代传统快恢复二极管方面表现出色,尤其在降低导通损耗和提高整体系统效率方面具有明显优势。由于其双管共阴极结构,非常适合同步整流拓扑或中心抽头式全波整流电路,广泛应用于现代高密度、高功率密度的开关电源设计中。
型号:20SEQP150M
类型:肖特基势垒二极管阵列(共阴极)
最大重复峰值反向电压 VRRM:150V
每芯片平均整流电流 IO:20A
峰值浪涌电流 IFSM:200A
正向压降 VF(典型值):0.57V @ 20A, Tj=125°C
反向漏电流 IR(最大值):1.0mA @ 150V, Tj=125°C
结温范围 TJ:-65°C 至 +175°C
存储温度范围 TSTG:-65°C 至 +175°C
封装形式:D2PAK (TO-263)
安装方式:表面贴装
引脚数:3
热阻 RθJC:1.0°C/W
产品系列:PowerTight?
20SEQP150M的核心特性之一是其低正向压降(VF),这是肖特基势垒二极管的本质优势。在典型工作条件下(Tj = 125°C, IF = 20A),其正向压降仅为0.57V左右,远低于传统PN结二极管(通常在0.8V~1.2V之间)。这种低VF特性直接转化为更低的导通损耗(P = VF × IF),从而显著提升电源系统的整体效率。例如,在一个输出电流为40A的DC-DC变换器中,使用该器件可比传统二极管节省数瓦的功耗,减少了散热需求,允许更紧凑的设计。
其次,20SEQP150M具备极快的反向恢复速度。由于肖特基二极管是多数载流子器件,几乎不存在少数载流子的存储效应,因此其反向恢复时间趋近于零,不会产生反向恢复电流尖峰和相关的电磁干扰(EMI)。这一特性对于高频开关电源(如工作频率超过100kHz的拓扑)尤为重要,可以有效降低开关节点的电压振铃和功率损耗,提高系统的电磁兼容性(EMC)表现。
第三,该器件采用共阴极双二极管结构,集成在一个D2PAK封装内,极大节省了PCB布局空间,并简化了布线复杂度。D2PAK封装本身具有良好的热传导性能,配合适当的散热设计(如敷铜面积或散热片),可实现高效的热量散发,确保长时间高负载运行下的稳定性。
此外,20SEQP150M拥有宽泛的工作结温范围(-65°C 至 +175°C),使其能够在极端温度环境下可靠运行,适用于工业、通信及部分汽车电子应用场景。其通过AEC-Q101认证也说明了其在振动、湿度、温度循环等应力测试中的高可靠性,适合部署在数据中心、基站电源等关键基础设施中。
20SEQP150M主要应用于需要高效能量转换和高功率密度的电力电子系统中。它广泛用于服务器和工作站的主电源模块(VRM)、通信设备的板载DC-DC转换器、工业电源整流单元以及太阳能逆变器中的续流或整流环节。由于其低正向压降和快速响应特性,特别适合用于同步整流拓扑中作为副边整流元件,以替代传统的MOSFET驱动复杂控制方案,在成本与性能之间取得良好平衡。
在笔记本电脑适配器、充电器等消费类高能效电源中,20SEQP150M可用于次级侧全波整流电路,尤其是在中心抽头变压器结构中,其双二极管共阴极配置可以直接对接两个绕组输出,简化电路设计并提升效率。同时,该器件也被用于电池管理系统(BMS)中的防反接和能量回馈路径,利用其单向导电性和低损耗特性保护主电路。
在电动汽车车载充电机(OBC)和DC-DC转换器中,尽管更高电压等级的需求日益增长,但在48V系统或辅助电源中,20SEQP150M依然具备一定的应用价值。其AEC-Q101认证使其更具进入汽车电子供应链的资格。此外,在UPS不间断电源、医疗电源等对可靠性要求极高的领域,该器件凭借稳定的电气性能和坚固的封装结构,成为设计师优选的整流解决方案之一。
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"40CPQ150",
"SQD20-15B",
"MBR20H150CT",
"DSB20-15A"
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