时间：2025/7/19 3:21:53
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IXFN420N10T 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）生产的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流、高功率密度的应用。这款器件采用了先进的 HEXFET 技术，具有低导通电阻和出色的热性能，适合用于电源管理和功率转换系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大漏极电流(Id)：420A（连续）
导通电阻(Rds(on))：约0.85mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：280nC（典型）
封装形式：TO-263（D2Pak）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
IXFN420N10T MOSFET 具有多个显著的性能特点，使其成为高功率应用的理想选择。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。其次，该器件采用了先进的 HEXFET 技术，提供了卓越的开关性能，能够在高频工作条件下保持稳定，从而实现更高的功率密度和更小的外围元件尺寸。此外，IXFN420N10T 具有高电流处理能力，额定连续漏极电流可达 420A，适用于需要高输出功率的设计，如 DC-DC 转换器、电机驱动器和电池管理系统。
在热管理方面，该 MOSFET 使用 TO-263（D2Pak）封装，提供了良好的散热能力，确保在高负载条件下仍能维持稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，适应各种严苛的工业和汽车应用环境。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗，从而进一步提升效率。这些特性共同作用，使得 IXFN420N10T 在功率电子系统中表现出色，尤其适合用于高效率和高可靠性的应用。
IXFN420N10T 广泛应用于各种高功率电子系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制模块、电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及工业和汽车电子设备。其高电流能力和低导通电阻使其在需要高效能和高可靠性的设计中表现尤为突出。
IXFN420N10T 的替代型号包括 IXFN420N10T4、IRFP4227PBF、IXFH420N10T
