时间：2025/9/7 13:11:32
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MBM200HR6Y是一种高压、大电流功率MOSFET，广泛应用于高功率开关和电源管理系统。该器件采用先进的制造工艺，具有出色的热稳定性和电气性能，适用于各种工业和汽车电子应用。
类型：功率MOSFET
结构：N沟道增强型
漏源电压(Vds)：200V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：20A
功耗(Pd)：150W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-247
MBM200HR6Y具有多个关键特性，使其在高压应用中表现出色。首先，其高耐压能力（Vds为200V）使其适用于各种高压电源设计。其次，该MOSFET的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，MBM200HR6Y具备较高的热稳定性，能够在高功率工作环境下保持良好的性能。
该器件的封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能稳定运行。此外，MBM200HR6Y的栅极驱动电压范围较宽（±20V），便于与各种驱动电路兼容。其快速开关特性也使其适用于高频开关应用，从而减小外围元件的尺寸并提高系统整体效率。
在可靠性方面，MBM200HR6Y通过了严格的工业标准测试，确保在恶劣环境下的稳定运行。其低漏电流特性减少了待机功耗，适用于对能效要求较高的应用。此外，该MOSFET具有较高的短路耐受能力，可在极端条件下提供额外的安全保障。
MBM200HR6Y广泛应用于各种高压、大电流的电力电子系统中。常见应用包括工业电源、开关电源(SMPS)、电机驱动器、逆变器、UPS不间断电源以及新能源汽车充电系统。由于其优异的热管理和高可靠性，该器件也常用于需要长时间稳定运行的设备，如通信电源、自动化控制装置和电力调节系统。
IXFH20N200T, FGL40N250S, STP20NK20Z
