时间：2025/5/15 14:42:06
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ZXMN10A08DN8 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET芯片。它主要设计用于高频开关和功率转换应用，具有低导通电阻、高效率和快速开关的特点。这款器件采用了先进的封装技术，使其能够胜任各种工业和汽车电子系统中的功率管理任务。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：10A
导通电阻：7mΩ
栅极电荷：35nC
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：D2PAK-7 (TO-263-7)
ZXMN10A08DN8 提供了卓越的电气性能，包括较低的导通电阻以减少传导损耗，以及快速的开关速度以降低开关损耗。
其坚固的设计和宽泛的工作温度范围使其非常适合于严苛环境下的应用。此外，该器件还具备良好的热稳定性和可靠性，可满足长时间运行的需求。
由于其优化的封装形式，该器件便于焊接和集成到现有电路板中，同时提供了出色的散热能力。
该芯片广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、负载开关、电源管理系统等领域。在汽车电子领域，它常被用于电动助力转向系统（EPS）、制动系统和空调压缩机等关键组件中。
工业领域方面，ZXMN10A08DN8 可用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和工业自动化设备的功率控制部分。
ZXMN10A08LH8, ZXMN11A08DN8
