时间：2025/7/4 2:50:09
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TESDN051AD52是一款基于硅材料制造的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于开关和功率放大应用，能够以低导通电阻实现高效的功率转换。其设计优化了开关速度和热性能，适用于需要高效率和低功耗的应用场景。
该芯片具有出色的雪崩击穿能力和耐用性，能够在恶劣的工作条件下提供可靠的性能。它广泛应用于消费电子、工业设备以及通信系统中的电源管理部分。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：36A
脉冲漏极电流：144A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：79nC
输入电容：2290pF
总电容：3200pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 快速开关速度，可有效降低开关损耗。
3. 高电流承载能力，支持大功率应用。
4. 良好的热稳定性和可靠性，适合在高温环境下工作。
5. 具备雪崩击穿保护功能，增强了器件的鲁棒性。
6. 小尺寸封装，便于PCB布局和节省空间。
1. 开关电源（SMPS）
2. 电动工具中的电机驱动
3. 工业自动化设备中的负载切换
4. 汽车电子系统中的电源管理
5. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制
6. LED照明驱动电路
7. DC/DC转换器模块
8. UPS不间断电源系统
IRF540N
STP55NF06L
FDP55N06L
AO3400
