类型：数字霍尔效应传感器
　　感应方式：单极/双极可选（根据版本）
　　工作电压范围：2.5V 至 5.5V
　　工作电流（典型值）：4.5 μA（待机模式），12 μA（工作模式）
　　输出类型：开漏N-channel MOSFET
　　输出驱动能力：最大 sink current 20 mA
　　磁感应强度动作点（Bop）：典型值 3.5 mT
　　释放点（Brp）：典型值 2.5 mT
　　回差（Bhys）：典型值 1.0 mT
　　响应时间：典型值 1.5 μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：S-Mini (DSN2)
　　尺寸：约 1.6 mm × 1.6 mm × 0.55 mm
　　ESD 耐压：±4 kV（HBM）

MBH7BLZ02-109004 霍尔传感器采用了先进的低功耗CMOS设计技术，在保证高性能的同时实现了极低的功耗表现，特别适合电池供电设备或对能效要求较高的系统。其典型工作电流仅为12μA，而在待机或低功耗模式下可降至4.5μA，显著延长了系统的续航时间。此外，该器件内置稳压电路和滤波机制，能够在电源波动或噪声干扰较强的环境中稳定运行。其高灵敏度霍尔探头可在低至3.5mT的磁场强度下触发动作，确保在微弱磁场条件下仍能准确识别位置变化。
　　该传感器具备出色的温度稳定性，可在-40°C至+125°C的宽温范围内正常工作，适用于汽车引擎舱、工业电机等高温或低温严苛环境。内部集成的迟滞电路（Bhys≈1.0mT）有效防止了因磁场临界波动导致的输出抖动，提升了信号的可靠性与抗噪能力。输出结构采用开漏MOSFET设计，便于与不同电平的逻辑系统兼容，通过外接上拉电阻即可适配3.3V或5V系统，增强了接口灵活性。
　　封装方面，S-Mini小型化设计不仅节省PCB空间，还优化了热性能和机械强度，支持自动贴片生产工艺，提高量产效率。器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗电磁干扰（EMI）能力，满足工业与汽车级电磁兼容性要求。此外，MBH7BLZ02系列经过严格的可靠性测试，包括高温高湿存储、温度循环和寿命试验，确保在复杂工况下的长期稳定性与耐用性。

该霍尔传感器广泛应用于需要非接触式位置检测和速度监控的各种电子系统中。在汽车电子领域，常用于变速箱档位检测、油门踏板位置感应、车窗升降器防夹控制以及轮速传感等安全相关系统，凭借其高可靠性和宽温适应性，满足AEC-Q100等车规认证要求。在工业自动化中，可用于伺服电机换向、编码器反馈、气缸活塞位置检测以及PLC输入模块的接近开关替代方案，提升系统响应速度与使用寿命。
　　在消费类电子产品中，MBH7BLZ02-109004 可用于智能手机翻盖检测、笔记本电脑屏幕开合识别、智能门锁状态监测等场景，其微型封装非常适合紧凑型移动设备。此外，还可应用于白色家电如洗衣机门盖检测、空调风门位置控制、电动工具转速测量等领域，实现智能化控制与节能运行。由于其数字输出特性，无需额外的信号调理电路，简化了系统设计并降低了整体成本。

MBH7BLZ01-109004
　　MBH7BLZ03-109004
　　ME1201
　　AH1892
　　SS41F