容量：16 Mbit（16 Megabit）
　　组织结构：1M x16
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　访问时间：90ns
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行异步接口
　　擦除和写入方式：块擦除和字节编程
　　

LH28F160BVEBTL90 闪存芯片具备多个显著特性，首先是其采用 Intel 的 StrataFlash 技术，能够在单一存储单元中存储多个数据位，从而提高了存储密度并降低了单位成本。该器件支持异步读取操作，访问时间低至 90ns，适合要求高速响应的嵌入式应用。
　　其次，该芯片支持低功耗运行模式，包括待机模式和深度掉电模式，这使得它非常适合用于对能耗敏感的便携式或电池供电设备。其电压工作范围为 2.7V 至 3.6V，能够兼容多种电源管理系统，增强了其在不同应用场景下的适应能力。
　　此外，LH28F160BVEBTL90 提供了灵活的擦写操作，支持按块擦除和字节编程，允许用户对特定区域进行更新，而不会影响到其他存储区域。这种特性在需要频繁更新固件或配置数据的系统中尤为重要。芯片还具备错误检测和纠正能力，提高了数据存储的可靠性。
　　最后，该器件采用 TSOP 封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级工作环境，能够在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内稳定工作。

LH28F160BVEBTL90 适用于多种嵌入式系统，包括工业控制面板、智能电表、网络路由器和交换机、汽车仪表盘系统、医疗设备以及手持式终端设备。在这些应用中，它通常用于存储启动代码（如 BIOS 或 Bootloader）、固件、配置参数以及小型应用程序。由于其低功耗和高稳定性，该芯片也常用于远程监控设备和物联网（IoT）节点中。

LH28F160SAGBTL90E, AM29LV160DB, S29GL128P