H9DKNNN4JJAPRR-NEM 是一款由SK Hynix(海力士)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高带宽内存解决方案的一部分。这款芯片主要用于高性能计算、服务器、网络设备以及需要高速数据处理的应用场合。H9DKNNN4JJAPRR-NEM 是基于GDDR5技术的显存芯片,具有高速率、低功耗和高稳定性等特点,适合用于高端显卡和计算加速设备。
容量:8 Gbit
类型:GDDR5 SDRAM
封装:190-ball FBGA
电压:1.5V(VDD)/ 1.35V(VDDQ)
数据速率:8 Gbps
接口:x32
工作温度:-40°C 至 +85°C
H9DKNNN4JJAPRR-NEM 是一款高性能GDDR5内存芯片,具备高速数据传输能力,最高可达8 Gbps的数据速率。该芯片采用了先进的制造工艺,具备较低的功耗和较高的热稳定性,适用于长时间高负载运行的系统。其190-ball FBGA封装形式有助于提高PCB布局的灵活性和散热性能。此外,该芯片支持多种刷新模式和自刷新功能,能够在不同工作环境下保持数据完整性。其x32接口设计也有助于提升显卡或计算设备的内存带宽利用率,进一步增强图形处理能力和计算性能。
H9DKNNN4JJAPRR-NEM 主要用于高端显卡、计算加速器(如AI加速卡)、高性能服务器、图形工作站以及需要大量并行数据处理的嵌入式系统。由于其高带宽和低延迟特性,也适用于深度学习、图像处理、视频渲染和虚拟现实等前沿技术领域。
H9DKNNN4JJAPRR-NEM 可以考虑替代型号包括三星的GDDR5系列芯片,如K4G80325FB-RC24或美光的GDDR5产品,如MT51J256M32A025C。