时间：2025/7/24 6:20:16
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IXFP76N15T2 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的高功率 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和 BJT（双极型晶体管）的低导通压降特性，广泛用于高功率开关应用，如变频器、电源转换器、电机驱动和可再生能源系统等。IXFP76N15T2 采用 TO-247 封装，具备高电流承载能力和优异的热稳定性，适用于工业和汽车电子等高要求环境。
类型：IGBT
极性：N沟道
最大集电极电流：76A
最大集电极-发射极电压：1500V
最大栅极-发射极电压：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
功耗（Ptot）：280W
导通压降（Vce_sat）：2.1V（典型值）
短路耐受能力：有
绝缘等级：符合UL标准
IXFP76N15T2 具备多项优异的电气和热性能。其最大集电极电流可达 76A，集电极-发射极击穿电压为 1500V，能够在高压高电流条件下稳定工作。该 IGBT 的导通压降较低，典型值为 2.1V，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较强的短路耐受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏，从而提高了系统的可靠性和安全性。
该 IGBT 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应各种恶劣的工作环境。采用 TO-247 封装形式，具有良好的散热性能和机械强度，便于安装和散热设计。其栅极驱动电压范围为 ±20V，适用于多种驱动电路设计，兼容性强。
IXFP76N15T2 还具备优异的抗电磁干扰（EMI）能力，能够在高频率开关应用中保持稳定工作。该模块内部结构优化设计，降低了开关损耗，提高了整体效率，适用于高频逆变器和电机控制应用。
IXFP76N15T2 广泛应用于各种高功率电子系统中。常见的应用包括工业电机驱动、变频器、UPS（不间断电源）、电焊机、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及智能电网设备。在这些应用中，IXFP76N15T2 可以作为核心的功率开关元件，实现高效的能量转换和精确的控制。
例如，在太阳能逆变器中，该 IGBT 可用于将光伏电池产生的直流电转换为交流电，并将其输送到电网中；在电机驱动系统中，IXFP76N15T2 可用于控制电机的转速和扭矩，实现高效节能的电机控制；在电动汽车充电系统中，该 IGBT 可用于功率因数校正（PFC）和直流-直流转换电路，提高充电效率和系统稳定性。
SKM75GB12T4AgBL, FF75R12KS4P, IXFN76N15T
