时间：2025/5/8 8:31:12
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MBG967WPBS-M-ASERE1 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要应用于需要高效率和低损耗的场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著提升系统的整体性能。
该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于各种工业和消费电子应用中的功率转换和电机驱动场景。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：28A
导通电阻：0.045Ω
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=35ns, toff=55ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
MBG967WPBS-M-ASERE1 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：650V 的漏源击穿电压，适合高压应用场景。
2. 低导通电阻：在大电流应用中可有效降低功耗。
3. 快速开关性能：较低的栅极电荷和开关时间，支持高频操作。
4. 耐热性能优越：能够在高温环境下稳定运行，最高结温可达 175℃。
5. 小型化封装设计：有助于节省电路板空间，同时提高散热效率。
该芯片广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）：用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动：支持高效无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机控制。
3. 太阳能逆变器：为光伏系统提供可靠的功率转换解决方案。
4. 工业自动化设备：如伺服驱动器、机器人控制器等。
5. 电动汽车充电桩：作为功率级元件，实现快速充电功能。
MBG967WPBS-M-AEFE1
MBR967WPM-M-ASERE1
STP28NF06
