时间：2025/8/10 16:58:37
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PSP0C0AA43RQ2 是由瑞萨电子（Renesas Electronics）生产的一款功率MOSFET器件，广泛用于需要高效率和高性能的功率转换应用中。该器件采用了先进的沟槽工艺技术，提供低导通电阻和高可靠性，适用于如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电源管理模块等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：40V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：150A（在Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：0.75mΩ（最大值，Vgs=10V）
封装类型：PowerPAK SO-8
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
PSP0C0AA43RQ2 采用瑞萨先进的沟槽MOSFET工艺，具备极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。其高电流承载能力使其适用于高功率密度的设计。此外，该器件的封装设计优化了热性能，有助于在高负载条件下实现更有效的散热。
该MOSFET具有良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在瞬态过压条件下的可靠性。此外，它还具备快速开关特性，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。器件的栅极设计允许在较宽的栅极电压范围内稳定工作，兼容标准逻辑驱动电路。
由于其高可靠性和坚固的结构设计，PSP0C0AA43RQ2能够在恶劣的工作环境中保持稳定性能，满足工业和汽车电子应用的严格要求。
PSP0C0AA43RQ2 主要用于高性能电源管理系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动电路。它也广泛应用于服务器、通信设备、工业自动化设备以及汽车电子系统中的功率管理模块，以提供高效的功率转换和控制功能。
SiR142DP, IPP120N10N3G, FDS4410
