TQQ1231 时间：2025/8/15 21:47:46 阅读：4

TQQ1231是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频率的应用。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和良好的热稳定性，使其非常适合用于电源管理、DC-DC转换器、马达控制和负载开关等场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：120A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：3.2mΩ（最大值）
　　功耗（Pd）：180W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

TQQ1231具备极低的导通电阻，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，优化了导通和开关性能。
　　其高电流容量和优异的热性能使其在高功率应用中表现出色，能够承受较高的工作温度而不影响性能。
　　此外，TQQ1231的封装设计有助于快速散热，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。
　　该MOSFET还具备快速开关能力，适合用于高频开关电路，从而减小外围电路的尺寸和成本。
　　由于其坚固的设计和优异的可靠性，TQQ1231被广泛用于高性能电源系统和电机驱动器中。