制造商：MURATA
　　系列：MBCG
　　工作频率范围：2500 MHz ~ 2690 MHz
　　增益典型值：31.5 dB
　　输出P1dB：+42.5 dBm（约17.8 W）
　　饱和输出功率（Psat）：+43.5 dBm（约22.4 W）
　　供电电压（Vcc）：+28 V
　　静态工作电流（Icq）：典型值320 mA
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　封装类型：表面贴装型，带金属屏蔽盖
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　尺寸：约12.0 mm × 8.0 mm × 3.0 mm
　　回波损耗（输入/输出）：>15 dB（典型）
　　谐波抑制：>30 dBc
　　互调失真（IMD3）：<-30 dBc（典型）

MBCG31423-2517APFV-G在射频性能方面表现出色，其核心优势之一是宽频带操作能力，覆盖2500 MHz至2690 MHz频段，适用于Band 7（2500–2690 MHz）和部分Band 41的应用场景。这一频率范围广泛用于TD-LTE和5G NR部署中，尤其适合中国及全球多个市场的主流频段需求。该模块采用GaAs或先进的InGaP/GaAs异质结双极晶体管（HBT）工艺制造，确保了高增益、高效率和优异的线性度。其典型增益达到31.5 dB，在整个工作频带内波动小于±1 dB，保证了系统链路预算的稳定性。
　　该器件的输出功率表现强劲，P1dB压缩点可达+42.5 dBm，饱和功率高达+43.5 dBm，能够支持高数据速率传输和远距离通信应用。同时，其电源效率经过优化，在典型工作条件下可实现超过30%的漏极效率，有助于降低系统功耗和散热负担。内置的偏置电路支持可调栅极电压控制，便于实现精确的静态电流设定，以适应不同线性度与效率之间的权衡需求。
　　在可靠性方面，MBCG31423-2517APFV-G具备完善的保护机制。当检测到输出端口出现高驻波比（如天线开路或短路）时，模块会自动限制输出功率以防止内部晶体管损坏。此外，集成的温度传感器可在芯片温度过高时触发降功率保护，确保长期运行的稳定性。该模块还针对电磁兼容性进行了优化设计，金属屏蔽封装有效抑制了外部干扰和辐射泄漏，提升了系统的EMI性能。
　　该器件支持数字预失真（DPD）技术，通过外部反馈环路动态补偿非线性失真，显著改善ACLR（邻道泄漏比）指标，满足3GPP严格的发射信号谱掩模要求。其良好的互调特性（IMD3 <-30 dBc）使其适用于多载波放大环境。由于集成了输入/输出匹配网络，用户无需进行复杂的外部匹配调试，大幅缩短开发周期并提高生产一致性。

MBCG31423-2517APFV-G主要面向中高功率等级的无线基础设施应用，特别适用于2.5 GHz至2.7 GHz频段内的通信系统。典型应用场景包括4G LTE宏基站和微基站中的功率放大级，尤其是在Band 7（2600 MHz）和Band 41（2500–2690 MHz）频段的TD-LTE网络部署中发挥关键作用。随着5G网络的发展，该器件也被广泛用于5G FDD和TDD模式下的射频前端子系统，作为主功率放大器驱动最后一级天线单元。
　　此外，该模块适用于分布式天线系统（DAS），用于增强室内或复杂地形下的信号覆盖。在小型蜂窝基站（Small Cell）和企业级接入点中，其高集成度和稳定性能使得设备制造商能够快速实现紧凑型、高效能的射频设计。由于其支持DPD和高线性度输出，也常被用于需要多载波合并（Multi-Carrier Aggregation）的基站平台，保障多用户并发通信的质量。
　　在测试与测量设备领域，该器件可用于构建高精度射频信号发生器或功率放大测试台架。工业、科学和医疗（ISM）频段设备中若涉及相近频率的高功率发射需求，也可考虑使用此模块进行射频能量放大。总体而言，该器件适用于所有需要在2.5–2.7 GHz频段实现高线性、高效率、高可靠性的射频功率放大的通信系统。

MHL9LF4525N M/A-COM
　　AMC-2525170S-2 Ampleon
　　PD55003 Qorvo