ACM960AZ01KN是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率转换的应用场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升系统的效率和可靠性。
型号:ACM960AZ01KN
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:96A
导通电阻(典型值):1.5mΩ
栅极电荷:32nC
输入电容:4800pF
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
ACM960AZ01KN具有非常低的导通电阻,仅为1.5mΩ,这使其在大电流应用中表现出色,大幅降低了导通损耗。
同时,该器件的栅极电荷较小,仅为32nC,保证了快速的开关速度,有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。
此外,其支持的宽温度范围(-55℃至+175℃)使得它能够在极端环境条件下稳定运行,非常适合工业和汽车级应用。
由于其高电流承载能力(最大连续漏极电流达96A),这款MOSFET特别适用于需要处理高功率负载的场合。
它的封装形式为TO-247,提供良好的散热性能,进一步增强了器件的可靠性和稳定性。
ACM960AZ01KN主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主功率开关。
2. 电动车辆和混合动力汽车中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统中的功率调节单元。
5. 高效DC-DC转换器的设计与实现。
这些应用场景都要求器件具备高效率、低损耗和高可靠性,而ACM960AZ01KN正好满足这些需求。
ACM960AZ01KP, IRF7845, FDP16N60