MB87Q1350-E1 时间：2025/12/28 6:02:40 阅读：22

MB87Q1350-E1是一款由富士通（现为赛普拉斯，现归属于英飞凌科技）推出的低功耗、高性能的16兆位（16Mbit）静态随机存取存储器（SRAM）芯片，采用先进的CMOS技术制造。该器件属于异步SRAM系列，具有1M x 16位的组织结构，意味着其内部存储空间被划分为1,048,576个地址，每个地址可存储16位数据。MB87Q1350-E1专为需要高速数据存取和高可靠性的工业、通信及网络设备应用而设计。该芯片支持标准的异步SRAM接口协议，兼容通用的内存总线架构，便于系统集成。其工作电压为3.3V ±0.3V，适用于大多数现代嵌入式系统的电源架构。封装形式为48引脚TSOP（薄型小外形封装），有助于节省PCB空间并提升系统密度。该器件的工作温度范围通常为工业级（-40°C至+85°C），确保在恶劣环境下的稳定运行。MB87Q1350-E1在数据缓冲、帧存储、实时处理缓存等场景中表现出色，广泛应用于路由器、交换机、工业控制器、测试测量仪器等领域。由于其非易失性需外部支持，因此常与备用电池或超级电容配合使用，以实现关键数据的长期保持。

参数

容量：16 Mbit
　　组织结构：1M x 16
　　供电电压：3.3V ±0.3V
　　工作电流：典型值 90mA（读取），待机电流 < 10μA
　　访问时间：最大55ns、70ns、85ns（依速度等级而定）
　　封装类型：48-pin TSOP Type II
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　输入/输出电平：TTL 兼容
　　写使能方式：WE#/CE#联合控制
　　数据保持电压：≥ 2.0V
　　引脚排列：符合JEDEC标准 TSOP-II 48-pin布局

特性

MB87Q1350-E1具备出色的高速访问能力，其最快的版本提供55纳秒的访问时间，能够在高频率的系统总线下稳定运行，满足实时数据处理的需求。该SRAM采用CMOS工艺制造，显著降低了动态和静态功耗，在待机模式下电流消耗低于10微安，适合对功耗敏感的应用场景。芯片内部结构优化，具备良好的噪声抑制能力和信号完整性，有效减少误操作风险。其16位数据宽度非常适合16位或32位处理器系统的数据总线匹配，避免了8位SRAM在传输效率上的瓶颈。器件支持全静态操作，无需刷新周期，简化了系统控制逻辑。
　　该产品具备高可靠性，经过严格的老化测试和质量控制流程，保证在工业级温度范围内长期稳定工作。所有输入引脚均具备施密特触发器特性或具备过压保护设计，增强了对外部噪声和瞬态干扰的抵抗能力。输出使能（OE#）信号允许将多个SRAM设备共享同一数据总线，实现灵活的系统扩展。写使能（WE#）与片选（CE#）双信号控制机制提高了写操作的安全性，防止误写入。
　　MB87Q1350-E1还支持数据保持模式，在VCC降至2.0V以上时仍能维持存储内容不丢失，配合外部备用电源可用于关键数据的临时保存。其TSOP封装形式便于自动化贴装，且热阻性能良好，有助于系统散热设计。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品设计。整体而言，MB87Q1350-E1在性能、功耗、可靠性和兼容性方面达到了良好平衡，是中高端工业和通信应用中的理想选择。

应用

MB87Q1350-E1广泛应用于需要高速、可靠、低功耗存储解决方案的领域。在通信基础设施中，常用于路由器和交换机的数据包缓冲区，实现快速帧存储与转发。在工业自动化控制系统中，作为PLC或HMI设备的临时数据缓存，用于存放实时采集的传感器数据或控制指令。测试与测量设备如示波器、逻辑分析仪也采用该SRAM来暂存大量采样数据，以便后续处理与显示。数字复印机、多功能打印机等办公设备利用其高速读写特性进行图像数据缓存。在医疗电子设备中，用于存储关键运行参数或患者监测数据。此外，在嵌入式网关、视频监控前端设备、军事通信模块等对环境适应性和稳定性要求较高的场合，MB87Q1350-E1凭借其宽温工作能力和高抗干扰性能，成为可靠的本地存储组件。其异步接口也使其易于与FPGA、DSP或传统微控制器连接，无需复杂的时序控制电路，加快产品开发周期。