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HBLS1608-3N9S 发布时间 时间:2025/9/2 5:16:25 查看 阅读:10

HBLS1608-3N9S是一款由HBL(Hyundai Electronics,现为SK Hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于早期的异步DRAM产品系列。该芯片采用1608封装形式,存储容量为256K x 4位,工作电压为5V,主要用于嵌入式系统、工业控制设备以及老式计算机设备中。由于其异步操作模式,该芯片在时序控制上较为灵活,适合对性能要求不高的应用场合。

参数

容量:256K x 4位
  电压:5V
  封装:SOJ-20
  访问时间:55ns/70ns/100ns(视具体子型号而定)
  工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据宽度:4位
  接口类型:并行异步接口

特性

HBLS1608-3N9S具备典型的异步DRAM特性,支持标准的地址/数据分离控制,具备较宽的工作温度范围,适合在工业环境中使用。
  其5V电源供应增强了与老式系统的兼容性,减少了电源管理电路的复杂性。
  由于其访问时间相对较长(55ns至100ns之间),该芯片主要用于对速度要求不高的场合,如人机界面、数据采集系统、工业自动化控制等。
  此外,该芯片的封装形式为SOJ(小外形J引脚封装),具有良好的机械稳定性和焊接可靠性,适用于表面贴装工艺。

应用

HBLS1608-3N9S广泛应用于早期的嵌入式系统、工控主板、通讯模块、测量仪器以及老旧的个人计算机周边设备中。由于其异步接口和较低的功耗特性,该芯片也常见于需要中等容量缓存的视频显示系统、智能卡读写器、条码扫描器等设备中。
  在工业领域,该芯片被用于数据缓冲、临时存储程序代码或图形信息,适用于需要稳定性和长期供货保障的场景。
  尽管随着同步DRAM和低功耗移动DRAM的发展,该芯片已逐渐被市场淘汰,但在一些维护和替代性项目中仍有使用。

替代型号

TC55257BFT-70, CY7C136B-55JC, KM62256AH-70

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