HBLS1608-3N9S 时间：2025/9/2 5:16:25 阅读：24

HBLS1608-3N9S是一款由HBL（Hyundai Electronics，现为SK Hynix）制造的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于早期的异步DRAM产品系列。该芯片采用1608封装形式，存储容量为256K x 4位，工作电压为5V，主要用于嵌入式系统、工业控制设备以及老式计算机设备中。由于其异步操作模式，该芯片在时序控制上较为灵活，适合对性能要求不高的应用场合。

参数

容量：256K x 4位
　　电压：5V
　　封装：SOJ-20
　　访问时间：55ns/70ns/100ns（视具体子型号而定）
　　工作温度：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据宽度：4位
　　接口类型：并行异步接口

特性

HBLS1608-3N9S具备典型的异步DRAM特性，支持标准的地址/数据分离控制，具备较宽的工作温度范围，适合在工业环境中使用。
　　其5V电源供应增强了与老式系统的兼容性，减少了电源管理电路的复杂性。
　　由于其访问时间相对较长（55ns至100ns之间），该芯片主要用于对速度要求不高的场合，如人机界面、数据采集系统、工业自动化控制等。
　　此外，该芯片的封装形式为SOJ（小外形J引脚封装），具有良好的机械稳定性和焊接可靠性，适用于表面贴装工艺。

应用

HBLS1608-3N9S广泛应用于早期的嵌入式系统、工控主板、通讯模块、测量仪器以及老旧的个人计算机周边设备中。由于其异步接口和较低的功耗特性，该芯片也常见于需要中等容量缓存的视频显示系统、智能卡读写器、条码扫描器等设备中。
　　在工业领域，该芯片被用于数据缓冲、临时存储程序代码或图形信息，适用于需要稳定性和长期供货保障的场景。
　　尽管随着同步DRAM和低功耗移动DRAM的发展，该芯片已逐渐被市场淘汰，但在一些维护和替代性项目中仍有使用。