型号：MB87D132
　　类型：CMOS SRAM
　　容量：16K x 8位（128Kbit）
　　组织结构：16384字 × 8位
　　工作电压：5V ± 10%（4.5V ~ 5.5V）
　　访问时间：70ns / 100ns / 120ns（根据速度等级）
　　工作电流：典型值约 50mA（最大70mA）
　　待机电流：≤ 10μA（CMOS低功耗模式）
　　输入电平：TTL兼容
　　输出驱动能力：8个LSTTL负载
　　封装形式：40-pin DIP, 40-pin SOJ
　　温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）；-40°C 至 +85°C（工业级）
　　读写操作：异步读写，支持片选（CE）、写使能（WE）和输出使能（OE）控制

MB87D132采用高性能CMOS工艺制造，具备出色的电气特性和稳定性，能够满足多种复杂应用场景下的高速数据存储需求。其最显著的特点之一是提供快速的访问时间选项，包括70ns、100ns和120ns等多个速度等级，用户可根据系统主控频率选择合适的型号以实现最佳性能匹配。这种灵活性使得它既可用于高速缓存场景，也可用于对成本敏感且速度要求不高的基础存储任务。
　　该芯片内部集成了完整的地址译码逻辑和存储阵列，无需外部刷新电路，真正实现了“静态”存储功能，简化了系统设计。每个存储单元由六个晶体管构成（6T结构），保证了数据的稳定保持，只要供电持续存在，信息就不会丢失。同时，CMOS技术的应用大幅降低了动态和静态功耗，在待机状态下仅消耗微安级别的电流，有助于延长设备的整体使用寿命并减少散热压力。
　　MB87D132支持全功能异步控制接口，包含三个关键控制信号：片选（CE）、写使能（WE）和输出使能（OE）。通过这三者的组合逻辑，可精确控制芯片处于读、写、待机或高阻输出状态，避免总线冲突并提高系统的可靠性。例如，当CE和WE均为高电平时执行读操作，而CE为低、WE为低时则进行写入操作。这种标准化的控制方式与绝大多数8位和16位微处理器完全兼容，极大地方便了硬件接口设计。
　　此外，该器件具有较强的抗噪声能力和温度适应性，经过严格的质量测试，符合工业级环境要求。其封装形式兼顾传统DIP便于调试和SOJ节省空间的优势，适用于从原型开发到批量生产的全过程。虽然当前市场上已有更小封装、更低电压的产品替代，但MB87D132因其长期稳定的供货记录和技术文档完善，仍然是许多维护项目和老旧系统升级中的首选SRAM型号之一。

MB87D132主要用于需要稳定、快速、非刷新式数据存储的各种电子系统中。其典型应用包括工业自动化控制系统，如PLC（可编程逻辑控制器）、远程I/O模块和运动控制卡，在这些设备中用作临时数据缓冲区或程序运行内存。由于其TTL电平兼容性和5V工作电压，非常适合与传统的8051、Z80、68K等8/16位微处理器配合使用，构建稳定的嵌入式系统架构。
　　在通信领域，该芯片常被用于路由器、交换机、调制解调器等网络设备的早期设计中，作为帧缓存、协议处理中间数据存储单元，确保数据包的高效转发与处理。此外，在测试与测量仪器如示波器、频谱分析仪、逻辑分析仪中，MB87D132可用于暂存采集到的数据样本，供后续处理或显示，其高速访问特性保障了实时性要求。
　　消费类电子产品中，虽然目前已较少采用此类大封装SRAM，但在一些高端音响设备、老式游戏机主板或专业音视频编辑设备中仍可见其身影，用于图像缓存或音频缓冲。另外，在军事和航空航天领域的部分遗留系统中，因认证周期长、更换风险高，MB87D132也被继续沿用以维持系统兼容性和稳定性。
　　由于其工业级版本支持-40°C至+85°C的宽温工作范围，因此也适用于恶劣环境下的户外设备，如交通监控终端、电力监控装置和石油钻探控制系统等。总之，MB87D132凭借其成熟的设计、可靠的性能和广泛的适用性，在多个行业领域中发挥了重要作用，尤其在系统维护和备件替换方面依然具有不可替代的价值。

IS61LV1288-70T, CY7C1019DV33, AS6C1008-55PCN