SSP50N06是一款N沟道增强型功率MOSFET,由Sanken(三垦)公司生产。该器件适用于高频率开关应用,具备低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点,广泛用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理和开关电源等领域。SSP50N06采用TO-220封装形式,便于散热并确保在高功率工作下的稳定性。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):50A(@Tc=25℃)
脉冲漏极电流(Idm):200A
导通电阻(Rds(on)):≤0.018Ω
功率耗散(Pd):150W
工作温度范围:-55℃~175℃
封装类型:TO-220
SSP50N06具有多个显著的性能特点:
1. **低导通电阻**:Rds(on) 最大仅为0.018Ω,显著降低导通损耗,提高电源转换效率。
2. **高电流能力**:在25℃时可提供高达50A的连续漏极电流,短时脉冲电流可达200A,适用于高负载应用场景。
3. **高耐压**:漏源电压额定值为60V,满足多种中低压功率变换需求。
4. **快速开关特性**:具备低输入电容和门极电荷,适用于高频开关应用,降低开关损耗。
5. **热稳定性好**:采用TO-220封装,具备良好的散热能力,确保在高功耗环境下稳定运行。
6. **可靠性高**:内置保护结构,具备一定的抗雪崩击穿能力,适用于严苛工业环境。
7. **通用性强**:广泛应用于各类电源、电机控制、电池管理系统和负载开关电路。
SSP50N06广泛应用于以下领域:
1. **开关电源(SMPS)**:如AC-DC适配器、服务器电源、工业电源等,用于高频功率变换。
2. **DC-DC转换器**:适用于升降压(Buck/Boost)电路、隔离式转换器等拓扑结构,提高能量转换效率。
3. **电机驱动**:用于直流电机、步进电机或无刷电机的H桥驱动电路,实现高效、低发热的控制方案。
4. **负载开关**:作为高侧或低侧开关用于电池供电设备、负载管理系统等。
5. **逆变器系统**:应用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等,提供快速切换和高可靠性支持。
6. **工业自动化**:如PLC控制模块、工业继电器替代电路等,提高系统的响应速度和稳定性。
IRFZ44N, STP55NF06, FDP50N06, IPP50N06S4-03