时间：2025/7/11 9:06:43
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MB85RS512TPNF-G-JNERE1 是一款由富士通（Fujitsu）生产的铁电随机存取存储器（FRAM），它结合了RAM的高速读写性能和闪存的非易失性特点。该型号属于MB85RS系列，采用串行SPI接口，具有低功耗、高耐久性和快速写入等特性。
这款芯片主要应用于需要频繁数据记录和断电后数据保持的场景，例如工业自动化、医疗设备、消费电子和汽车电子等领域。
容量：64K x 8位 (512KB)
接口：SPI
工作电压：1.7V 至 3.6V
最大时钟频率：20MHz
封装形式：TFBGA-16
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
擦写耐久性：>10^12次
数据保存时间：>10年
MB85RS512TPNF-G-JNERE1 的核心特性包括：
1. 非易失性存储：无需电池即可在断电后保存数据。
2. 高速写入：与EEPROM或闪存相比，写入速度更快且无需写前擦除操作。
3. 极低功耗：在待机模式下几乎不消耗电流，适合电池供电设备。
4. 耐用性强：支持超过一万亿次的擦写循环，适用于高频数据记录应用。
5. 小型封装：TFBGA-16封装使其非常适合空间受限的设计。
6. 宽电压范围：支持从1.7V到3.6V的工作电压，提供更大的设计灵活性。
7. 高可靠性：经过严格测试，确保在极端温度和湿度条件下的稳定运行。
MB85RS512TPNF-G-JNERE1 广泛应用于以下领域：
1. 工业控制：如PLC、数据采集模块中的日志记录。
2. 医疗设备：用于保存关键患者数据或设备校准信息。
3. 汽车电子：例如轮胎压力监测系统（TPMS）、事件数据记录器（EDR）等。
4. 消费电子产品：如智能手表、健康追踪器等可穿戴设备的数据存储。
5. 物联网（IoT）：适用于传感器节点的本地数据存储功能。
MB85RS512TPNF-G-AJEAE1
MB85RS512T-YNE
MB85RS512Y-MNE
