时间：2025/9/2 2:17:15
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H9YA1GA1GHMYAR-2YM-C是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的高密度、高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高带宽内存（HBM，High Bandwidth Memory）系列。这款芯片通常用于需要极高数据吞吐能力的高端计算和图形处理应用，如GPU（图形处理器）、AI加速器、高性能计算（HPC）系统等。HBM技术通过3D堆叠和硅通孔（TSV，Through Silicon Via）技术实现了极高的内存带宽，并且具有较小的封装尺寸，适合高密度系统设计。
容量：1GB（Gigabyte）
内存类型：HBM2（High Bandwidth Memory Generation 2）
封装方式：BGA（Ball Grid Array）
接口类型：并行HBM接口
工作电压：1.25V（VDD）
时钟频率：最高可达800MHz
数据速率：每引脚2Gbps（Gigabits per second）
带宽：约256GB/s（Gigabytes per second）
I/O配置：1024位总线宽度
封装尺寸：35mm x 7.5mm（近似值）
工作温度范围：0°C至+95°C
H9YA1GA1GHMYAR-2YM-C是HBM2内存标准的代表性产品，其最大特点在于高带宽与低功耗设计。通过TSV技术将多个DRAM芯片堆叠在一起，并与GPU或处理器紧密集成，显著提升了内存访问速度和效率。该芯片采用3D堆叠结构，使得数据传输路径更短，从而减少了延迟和信号损耗。此外，它的工作电压为1.25V，相比前一代HBM产品，功耗更低，能效更高，适合用于高密度、高性能计算平台。
该芯片的带宽高达256GB/s，远高于传统GDDR5或DDR4内存，能够满足AI训练、图形渲染、科学计算等对内存带宽高度敏感的应用需求。其紧凑的封装形式也使得系统设计更加灵活，减少了PCB板的占用空间，提升了整体系统集成度。
此外，H9YA1GA1GHMYAR-2YM-C具备良好的热管理和可靠性设计，能够在高温环境下稳定运行。其标准工作温度范围覆盖0°C至+95°C，适用于各种严苛的工业和计算环境。
H9YA1GA1GHMYAR-2YM-C广泛应用于高性能计算、人工智能加速卡、图形处理单元（GPU）、数据中心服务器、AI推理与训练设备、高性能显卡、FPGA加速卡以及高端游戏显卡等领域。由于其高带宽特性，该芯片特别适合用于需要快速数据处理和大规模并行计算的任务，如深度学习、图像处理、实时渲染和大规模数据库处理等。
H5AN8G16MFR-2YM,H5AN8G16MFR-2WM,H5AN8G16MBR-2WM
