时间：2025/9/23 14:36:44
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MB85RS2MTPF-G-JNERE2是一款由富士通（Fujitsu）推出的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片。该器件结合了传统RAM的高速读写性能与非易失性存储器的数据保持能力，能够在断电后依然保存数据，且无需使用电池或其他备用电源。这款芯片采用先进的铁电技术，相比传统的EEPROM或闪存，具有更高的写入耐久性，通常可达10^14次读写周期，远超普通非易失性存储器的10^5至10^6次。其容量为2 Mbit（256 K × 8位），属于串行外设接口（SPI）类型的存储器，支持标准、双I/O和四I/O SPI模式，提供灵活的通信方式以适应不同的系统需求。该器件工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于多种工业、医疗、汽车及消费类电子应用。封装形式为8引脚TSSOP（薄型小尺寸封装），有助于节省PCB空间并提升系统集成度。此外，该芯片具备高可靠性、低功耗和快速写入特性，特别适合需要频繁写入和长期数据保存的应用场景。
型号：MB85RS2MTPF-G-JNERE2
制造商：Fujitsu
存储类型：FRAM（铁电RAM）
存储容量：2 Mbit (256 K × 8)
接口类型：SPI（支持单/双/四线模式）
工作电压：2.7V ~ 3.6V
最大时钟频率：40 MHz
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：8-TSSOP
写入耐久性：10^14 次/字节
数据保持时间：10年（典型值）
访问时间：典型70ns（读取）
待机电流：典型10 μA
工作电流：典型5 mA（在40MHz连续读取）
MB85RS2MTPF-G-JNERE2的核心技术基于铁电电容存储单元，利用铁电材料的极化状态来表示逻辑“0”和“1”。这种物理机制使得该芯片在写入操作时无需像EEPROM或Flash那样进行擦除步骤，从而实现了几乎无限的写入寿命和极快的写入速度。其写入延迟几乎为零，支持字节级写入，避免了传统非易失性存储器常见的页写入限制和等待时间，显著提升了系统响应效率。此外，由于写入过程不依赖于电荷泵或高电压编程机制，因此功耗极低，尤其适合对能耗敏感的应用。
该芯片支持标准SPI协议，并兼容Mode (0,0) 和 Mode (3,1)，允许与广泛的微控制器无缝对接。在四I/O模式下，数据传输速率可大幅提升，有效减少总线占用时间。内置写保护功能，通过软件指令或硬件WP引脚实现对特定地址区域或整个存储阵列的写入锁定，防止误操作或恶意篡改，增强了数据安全性。同时，设备集成了上电复位电路，确保在电源上升过程中处于稳定状态，避免异常写入。
MB85RS2MTPF-G-JNERE2还具备出色的抗辐射和抗干扰能力，适用于严苛的工业和汽车环境。其数据保持性能不受频繁读写影响，即使在极端温度条件下也能可靠运行。制造工艺符合RoHS环保标准，不含铅，支持无铅焊接流程。整体设计注重长期稳定性和系统兼容性，是替代传统串行EEPROM的理想选择，特别是在需要高耐久性、高速写入和非易失性特性的场合。
该芯片广泛应用于需要频繁数据记录和高可靠性的系统中。例如，在工业自动化领域，用于PLC控制器、传感器节点和数据采集系统中的实时日志存储；在智能仪表中，如电表、水表和气表，用于保存计量数据和配置信息，确保断电后数据不丢失；在医疗设备中，用于存储患者记录、校准参数和设备运行日志，满足长时间数据追溯的需求；在汽车电子中，可用于车载记录仪、ECU配置存储和胎压监测系统等模块。
此外，由于其高速写入和低功耗特性，也适用于便携式设备和物联网终端，如RFID标签、智能卡、无线传感器网络节点等，能够在有限的能源条件下实现高效的数据持久化。在金融终端设备如POS机中，可用于交易记录的即时存储，防止因突然断电导致数据丢失。其SPI接口的通用性使其易于集成到现有嵌入式系统中，配合各类MCU或处理器使用，简化系统设计并提高整体可靠性。
Cypress CY15B104QSx-4.5SI
MirrorBit S25HS256A
ROHM BR25H256FJ-3C
