类型：齐纳二极管
　　齐纳电压（Vz）：8.2V
　　最大齐纳电流（Izmax）：100mA
　　最大耗散功率（Ptot）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOD-523
　　引脚数：2
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C

ZMM55-B8V2T/R稳压二极管具有良好的电压稳定性和较低的动态阻抗，使其在各种电压调节和参考电路中表现优异。其SOD-523封装设计不仅节省空间，还支持自动化贴片工艺，适用于现代电子设备的高密度电路布局。此外，该器件具有较高的温度稳定性和长期可靠性，能够在恶劣的环境条件下稳定工作。ZMM55-B8V2T/R的低泄漏电流和快速响应特性也使其在低功耗和高精度应用中具有优势。
　　该稳压二极管的设计支持多种电压容差选项，通常为±2%或更优，以满足不同应用场景对电压精度的需求。其额定功率为200mW，允许在较宽的电流范围内保持稳定的电压输出，适用于低至中功率的电压调节任务。ZMM55-B8V2T/R还具有较低的反向漏电流，在非导通状态下可有效减少电路中的静态功耗，提高系统效率。
　　在材料和制造工艺方面，ZMM55-B8V2T/R符合RoHS环保标准，适用于无铅焊接工艺，并具备良好的抗静电和机械稳定性，能够满足工业级产品对元器件质量的严格要求。

ZMM55-B8V2T/R广泛应用于各种电子设备中，包括电源管理模块、电池充电器、电压参考源、过电压保护电路、模拟和数字电路中的稳压控制等。此外，该器件也常用于传感器信号调理、通信设备、工业控制系统以及消费类电子产品中的电压钳位和保护电路中。

BZX84-B8V2, MMSZ5246B