型号：AM2918/BEA
　　存储容量：1024 x 4 位（4Kbit）
　　组织结构：1K x 4
　　访问时间（Access Time）：约 35ns - 55ns（具体取决于版本）
　　供电电压：+5V ±5%
　　工作温度范围：商业级（0°C 至 +70°C）或工业级（-40°C 至 +85°C，视后缀而定）
　　输出类型：三态输出
　　封装形式：24-pin DIP（Dual In-line Package）
　　接口电平：TTL 兼容
　　写入周期时间：典型值 350ns
　　读取周期时间：典型值 350ns
　　静态电流：典型值 120mA（最大可达 180mA）
　　待机功耗：较高，因采用双极工艺

AM2918/BEA 的核心优势在于其卓越的存取速度，得益于所采用的双极型晶体管工艺技术，使其具备极短的传播延迟和快速的开关响应能力。该芯片的访问时间通常在 35ns 到 55ns 范围内，这在当时是极为领先的性能指标，特别适合用于需要高频数据交换的应用场景，例如 CPU 缓存、状态暂存器阵列或高速 I/O 缓冲区。
　　该器件具备三态输出功能，允许多个存储芯片共享同一数据总线，从而简化系统设计并提高总线利用率。当芯片未被选中时，其输出处于高阻抗状态，避免与其他正在工作的设备发生冲突。这种特性使得 AM2918/BEA 可以方便地集成到复杂的数字系统架构中，尤其是在多芯片并行扩展的设计中表现出良好的兼容性和稳定性。
　　此外，AM2918/BEA 支持异步读写操作，无需时钟同步信号即可完成数据存取，简化了控制逻辑设计。其地址输入端提供 10 根地址线（A0-A9），可寻址 1024 个存储单元，每个单元存储 4 位数据（I/O0-I/O3）。写使能（WE）、片选（CE）和输出使能（OE）等控制引脚提供了灵活的操作模式，支持单独的读写控制和低功耗待机模式（通过禁用输出驱动来降低动态功耗）。
　　虽然该芯片的静态功耗相对较高——典型工作电流可达 120mA 以上，限制了其在便携式或低功耗设备中的应用，但在固定式高性能系统中，这一缺点被其速度优势所抵消。AM2918/BEA 还具备较强的抗干扰能力和温度适应性，部分军用或工业级版本可在极端环境下稳定运行，因此也被应用于航空航天、雷达系统和电信交换机等关键领域。
　　总体而言，AM2918/BEA 作为早期高速 SRAM 的代表产品，展现了双极型存储器在速度方面的巅峰水平，尽管已被现代 CMOS SRAM 所取代，但其设计理念和技术特性仍对后续高速存储器发展产生了深远影响。

AM2918/BEA 主要应用于对数据存取速度要求极高的早期计算机系统和专用电子设备中。它常见于 20 世纪 80 年代初期的小型计算机和工作站中，作为 CPU 与主内存之间的高速缓存（Cache Memory），有效缓解了处理器与较慢 DRAM 之间的速度差异，提升了整体系统性能。此外，在一些高性能微处理器系统中，如基于 Motorola 68000 或 Zilog Z8000 架构的设计中，AM2918/BEA 被用作临时寄存器堆或指令缓冲区，以加速程序执行流程。
　　在工业控制领域，该芯片常用于实时控制系统中的数据暂存和状态保持，例如可编程逻辑控制器（PLC）、数控机床（CNC）和自动化测试设备（ATE）。由于其实时响应能力强、读写无延迟，非常适合用于采集高频传感器信号或生成精确控制脉冲序列。
　　通信设备也是 AM2918/BEA 的重要应用场景之一。在电话交换机、数据复用器和早期局域网（LAN）桥接设备中，该芯片用于帧缓冲、路由表缓存和协议处理中间存储，确保数据包能够快速转发而不造成瓶颈。
　　此外，在军事和航空航天电子系统中，部分带有特殊后缀的工业级或军用级版本（如 AM2918J 或 AM2918S）被用于雷达信号处理、飞行控制计算机和导弹制导系统中，这些环境要求元器件具备高可靠性、宽温工作能力和抗辐射特性，而 AM2918/BEA 的双极工艺正好满足部分需求。
　　实验室仪器方面，如数字示波器、逻辑分析仪和频谱仪等高端测量设备，也采用了此类高速 SRAM 来实现高速采样数据的临时存储，以便后续处理或显示。总之，AM2918/BEA 凭借其高速特性，在多个高科技领域发挥了重要作用，是那个时代电子系统性能提升的关键组件之一。

AS7C1024
　　IS61C1024
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