时间：2025/8/9 6:20:52
阅读：23
MB84256A-10LPF-G-BND-EF 是富士通（Fujitsu）公司生产的一款静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这款芯片的容量为256Kbit，组织形式为32K x 8位。它采用高速CMOS工艺制造，具有低功耗和高速存取的特点。MB84256A-10LPF-G-BND-EF 适用于需要高速存储器访问的嵌入式系统和工业控制应用。
容量：256Kbit（32K x 8）
访问时间：10ns
电源电压：3.3V
封装类型：52引脚 TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
输入/输出电压：兼容3.3V和5V逻辑
最大工作频率：100MHz
功耗：典型值100mA（待机模式下低于10mA）
MB84256A-10LPF-G-BND-EF 是一款高性能SRAM芯片，具有以下显著特性：
首先，它的访问时间仅为10ns，这使得它适用于对速度要求较高的应用场合，例如网络设备、工业控制系统和高速缓存存储器。其高速性能能够有效减少数据读取延迟，提高系统整体响应速度。
其次，该芯片采用低功耗CMOS工艺，在正常工作模式下的电流消耗约为100mA，而在待机模式下电流可降低至10mA以下。这种低功耗设计使其非常适合用于电池供电或对能耗敏感的设备。
此外，MB84256A-10LPF-G-BND-EF 采用52引脚TSOP封装，具有较小的封装尺寸，适合在空间受限的电路板上使用。该封装形式也具有良好的热稳定性和电气性能，适用于工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在恶劣环境下的稳定运行。
芯片的输入/输出引脚兼容3.3V和5V逻辑电平，允许其与多种类型的主控设备（如微控制器、FPGA或DSP）进行接口，提高了系统的兼容性和灵活性。
最后，MB84256A-10LPF-G-BND-EF 还具备高可靠性设计，适用于长期运行的工业自动化、通信设备和测试仪器等应用场景。
MB84256A-10LPF-G-BND-EF 主要应用于需要高速、低功耗和高稳定性的存储器系统中。典型应用包括：工业控制系统中的高速数据缓存；通信设备中的协议转换和缓冲存储；测试仪器中的临时数据存储；嵌入式系统的程序和数据存储；网络设备中的路由表缓存等。由于其兼容性和宽温度范围，它也常用于汽车电子、安防监控和智能仪表等领域。
IS61LV256AL-10B4I、CY62148EVLL-45ZS、AS7C3256AL-10BC、ISSI IS61LV25616-10B4I
