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GA0603A151KBBAR31G 发布时间 时间:2025/6/23 23:08:45 查看 阅读:20

GA0603A151KBBAR31G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能功率晶体管,采用增强型场效应晶体管 (eGaN FET) 设计。它具有低导通电阻、高开关速度和高效率的特点,适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及通信设备等应用领域。
  该型号由知名半导体厂商生产,结合了先进的制程工艺与封装技术,能够在高频条件下提供卓越的性能表现,同时支持更小的系统尺寸和更高的功率密度。

参数

最大漏源电压:150V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:7.5mΩ
  栅极电荷:80nC
  反向恢复时间:20ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:QFN 8x8mm

特性

GA0603A151KBBAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,可有效降低传导损耗,提升整体效率。
  2. 高频开关能力,支持高达数MHz的工作频率,非常适合现代高效能电源设计。
  3. 内置快速恢复二极管,进一步减少开关过程中的能量损失。
  4. 支持高功率密度设计,能够缩小电路板尺寸并减轻系统重量。
  5. 宽温度范围适应性,确保在极端环境下也能稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,满足环保要求。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),如服务器电源、工业电源和通信电源。
  2. DC-DC 转换器,用于电动汽车充电设备及便携式电子设备。
  3. 无线充电模块,提供高效的功率传输方案。
  4. 电机驱动控制,特别是需要快速动态响应的场景。
  5. 光伏逆变器和其他新能源相关设备。
  其出色的性能使其成为新一代电力电子系统的理想选择。

替代型号

GA0603A150KBBAR31G
  GA0603A152KBBAR31G

GA0603A151KBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容150 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-