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ZXMN2A14FTA 发布时间 时间:2025/4/27 17:39:42 查看 阅读:5

ZXMN2A14FTA 是一款由 Infineon(英飞凌)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-263-3 封装,广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和其他需要高效功率切换的应用中。
  其设计优化了导通电阻和栅极电荷等关键参数,从而在高频开关应用中表现出优异的效率和较低的功耗。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:8.5mΩ
  栅极电荷:29nC
  总电容:225pF
  工作结温范围:-55℃ to 175℃

特性

ZXMN2A14FTA 的主要特性包括以下几点:
  1. 高效功率切换:低导通电阻(Rds(on))确保了较低的传导损耗,特别是在高电流应用中。
  2. 快速开关性能:较小的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)使器件能够在高频下运行,减少开关损耗。
  3. 热稳定性:支持高达 175°C 的结温,适应严苛的工作环境。
  4. 小型封装:TO-263-3(D2PAK)封装提供良好的散热性能,同时节省电路板空间。
  5. 高可靠性:通过 AEC-Q101 认证,适用于汽车级应用。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电池管理系统(BMS)
  4. 电机驱动和控制
  5. 汽车电子系统中的负载切换
  6. 工业设备中的功率管理模块

替代型号

ZXMN2A09FTA, ZXMN2A18FTA

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ZXMN2A14FTA参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 3.4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds544pF @ 10V
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称UZXMN2A14FTAZXMN2A14FTR