容量：128MB
　　类型：NAND Flash
　　电压范围：2.7V - 3.6V
　　接口类型：8位并行接口（I/O）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　封装尺寸：48-pin
　　读取时间：最大70ns
　　写入时间：最大70ns
　　擦除时间：最大2ms
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

HY27UV08CG2M-TPCB具有多个显著的技术特性，使其在工业和消费类电子产品中具有广泛的应用前景。首先，该芯片采用先进的浮栅技术，确保了数据存储的稳定性和持久性。其次，其支持多页编程和快速读写功能，使数据处理效率大幅提升。此外，该芯片内置错误校正码（ECC）功能，能够自动检测和纠正数据错误，提高了数据完整性。该芯片还支持坏块管理，能够在使用过程中自动标记和跳过损坏的存储单元，从而延长芯片的使用寿命。同时，其低功耗设计使其适用于对能耗敏感的应用场景，如便携式设备和嵌入式系统。
　　在可靠性方面，HY27UV08CG2M-TPCB通过了严格的工业标准测试，包括高温高湿测试、震动测试和电磁干扰测试，确保其在各种恶劣环境下依然能够稳定运行。此外，该芯片的擦写寿命可达10万次以上，数据保存时间超过10年，满足长期数据存储的需求。

HY27UV08CG2M-TPCB广泛应用于多种嵌入式存储系统和便携式设备中。常见的应用包括固态硬盘（SSD）、工业控制设备、网络设备、医疗仪器、消费类电子产品（如MP3播放器、数码相机）以及车载导航系统。由于其高可靠性和宽温工作范围，该芯片也常用于工业自动化控制系统和智能电表等对稳定性要求较高的场景。

K9F1208U0B-PCB0, TC58NVG1S3AFT00, MT29F1G08ABAEAWP