存储容量：64K x 8位
　　电源电压：3.3V 或 5V（视具体型号而定）
　　访问时间：10ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：52引脚 TSOP（Thin Small Outline Package）
　　接口类型：并行异步接口
　　读写操作：支持高速读写操作
　　功耗：典型工作电流约10mA（待机模式下电流更低）
　　数据保持电压：最低可至2V（在待机模式下）

MB81F64842C-103FN- 是一款高性能、低功耗的异步SRAM芯片，其主要特性包括高速访问时间（最大10ns），适用于需要快速数据读取和写入的应用场景。芯片采用CMOS制造工艺，使其在保持高速操作的同时具备较低的功耗特性，特别适合对功耗敏感的嵌入式系统和便携式设备。此外，该芯片支持3.3V或5V电源供电，具备良好的电压兼容性，便于集成到不同电压系统的电路设计中。
　　该SRAM芯片封装形式为52引脚TSOP，占用PCB空间小，适合高密度设计。其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保在工业环境下的稳定运行。MB81F64842C-103FN- 还支持数据保持模式，在低电压或待机状态下仍能维持数据不丢失，有助于实现节能设计。
　　此外，该芯片具备良好的抗干扰能力与稳定性，适用于各种复杂电磁环境下的控制系统。其并行异步接口简化了与主控处理器的连接，提升了系统设计的灵活性。

该芯片广泛应用于工业自动化控制设备、嵌入式系统、网络通信设备、测试仪器、显示控制模块、医疗设备以及汽车电子系统等对存储性能和可靠性有较高要求的领域。其高速存取能力和宽温工作特性使其成为工业和通信应用中的理想选择。

IS61LV64842A-10B4I、CY62148E-45ZS、AS7C364842-10TC、ISSI IS64LV1008-10BG