时间：2025/9/1 12:43:32
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IS43R83200B-6TL 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片采用32M x 8位的组织结构，总容量为256Mb（兆位），适用于需要高速数据存取的电子系统。IS43R83200B-6TL支持自动刷新和自刷新模式，以降低功耗并延长数据保持时间，非常适合用于通信设备、工业控制、网络设备、消费类电子产品等对性能和功耗都有较高要求的应用场景。该芯片采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，便于集成在各种嵌入式系统和电路板上。
容量：256Mb
组织结构：32M x 8位
工作电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
封装类型：TSOP
引脚数：54
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
工作模式：异步DRAM
刷新模式：自动刷新、自刷新
最大工作频率：166MHz
功耗：典型值 120mA（待机模式下更低）
IS43R83200B-6TL 是一款高性能异步DRAM芯片，其主要特性包括低功耗设计、高速访问时间和宽电压工作范围。该芯片支持2.3V至3.6V的电源电压，使其能够兼容多种供电系统，适用于不同类型的嵌入式应用。其异步接口设计简化了系统控制逻辑，降低了系统设计复杂度。
该DRAM芯片具备自动刷新和自刷新两种刷新模式，能够在不同工作状态下有效保持数据完整性，同时在低功耗模式下显著降低功耗，适用于对功耗敏感的便携式设备和工业控制系统。其高速访问时间为5.4ns，支持高达166MHz的工作频率，满足高速数据处理需求。
此外，IS43R83200B-6TL采用54引脚TSOP封装，具有良好的热稳定性和机械可靠性，适合在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内稳定工作，广泛适用于通信模块、工业控制设备、嵌入式系统和消费类电子产品。
IS43R83200B-6TL广泛应用于需要高速、低功耗存储的电子系统中，例如：
1. 通信设备：如路由器、交换机、无线基站等，用于临时存储数据包和缓存信息。
2. 工业控制系统：如PLC、工业计算机和自动化设备，用于实时数据处理和缓存。
3. 网络设备：如网关、网络存储设备和视频监控系统，用于数据缓冲和快速访问。
4. 消费类电子产品：如数码相机、多媒体播放器和智能家电，用于图像、音频和视频数据的缓存。
5. 嵌入式系统：如手持设备、测量仪器和智能终端，用于系统内存扩展和数据处理。
IS43R83200C-6TL、IS43R83200D-6TL、IS42S83200B-6TL
