时间：2025/8/2 7:53:14
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DMN2041LSD-13 是一款由 Diodes 公司（Diodes Incorporated）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件设计用于高性能开关应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率处理能力。DMN2041LSD-13 采用 8 引脚 SOIC 封装，适合需要高效能和小尺寸的应用场景。它广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流（Id）：4.1A
漏极-源极击穿电压（Vds）：20V
栅极-源极电压（Vgs）：±8V
导通电阻（Rds(on)）：26mΩ @ Vgs=4.5V，52mΩ @ Vgs=2.5V
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：8-SOIC
DMN2041LSD-13 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在高电流应用中能够显著降低功耗，提高效率。在 Vgs=4.5V 时，Rds(on) 仅为 26mΩ，而在较低的栅极电压 Vgs=2.5V 时，Rds(on) 也仅为 52mΩ。这种优异的导通性能使得该 MOSFET 非常适合用于需要低电压驱动的系统，如便携式设备和低功耗电源管理系统。
此外，该器件具有高达 4.1A 的连续漏极电流能力，能够在较高负载下稳定运行。其最大漏极-源极电压为 20V，适用于多种低压电源应用。栅极-源极电压最大为 ±8V，使其在常见的逻辑电平控制电路中表现出色。
DMN2041LSD-13 采用 8 引脚 SOIC 封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。同时，该封装具有良好的散热性能，有助于在高功率工作条件下保持器件温度在安全范围内。其最大功率耗散为 1.4W，能够在不使用外部散热器的情况下满足大多数中等功率应用的需求。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和过载保护能力，能够在高温环境下可靠运行。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应性强，适合工业级应用。此外，该器件的封装材料符合 RoHS 标准，环保且无卤素，符合现代电子产品对环境友好型材料的要求。
DMN2041LSD-13 主要用于需要高效功率管理的应用场景。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、便携式电子设备电源管理、电机控制以及电源分配系统。由于其低导通电阻和高电流能力，它也常用于电源优化设计和节能型电子产品中。
SI2302DS, FDN304P, DMN2041LSD-13
