MB81C78A-45是一款由富士通(Fujitsu)公司生产的高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于低功耗、高性能的异步SRAM产品系列,广泛应用于需要快速数据存取和高可靠性的电子系统中。MB81C78A-45采用先进的CMOS工艺制造,具备良好的噪声抑制能力和稳定性,适合在工业控制、通信设备、网络基础设施以及嵌入式系统中使用。该芯片封装形式通常为28引脚DIP(双列直插式封装)或SOIC(小外形集成电路封装),便于在多种PCB布局中进行安装和焊接。作为一款经典的异步SRAM器件,MB81C78A-45在现代电子设计中仍然具有一定的应用价值,尤其是在对成本敏感且不需要同步接口的场合。
制造商:Fujitsu
系列:MB81C78A
存储器类型:SRAM
存储器格式:异步
存储容量:8K x 8位
组织结构:8K x 8
存取时间:45ns
工作电压:4.5V ~ 5.5V
输入/输出逻辑电平:TTL兼容
工作温度范围:0°C ~ +70°C
封装类型:28-DIP 或 28-SOIC
引脚数:28
最大读取电流:典型值35mA
待机电流:≤100μA
三态输出:支持
控制信号:CE(片选)、OE(输出使能)、WE(写使能)
数据总线宽度:8位
地址总线宽度:13位(A0-A12)
MB81C78A-45采用了高性能CMOS技术,确保了其在高速运行下的低功耗表现,同时具备出色的抗干扰能力,适用于各种电磁环境复杂的工业应用场景。其45ns的访问速度使其能够在较宽泛的微处理器系统中作为高速缓存或临时数据存储单元使用,尤其适合与8位或16位CPU配合工作。该芯片支持全静态操作,意味着只要电源保持稳定,数据就可以无限期保存而无需刷新,这与DRAM不同,极大简化了系统设计。
该器件具有三态输出功能,允许其直接连接到共享的数据总线上,多个存储器或外设可以共用同一组数据线,通过片选信号进行选择,提高了系统的集成度和布线灵活性。此外,其TTL电平兼容性使得它可以无缝对接大多数传统微控制器和微处理器,无需额外的电平转换电路,降低了整体系统复杂性和成本。
MB81C78A-45具备完整的控制逻辑,包括片选(CE)、写使能(WE)和输出使能(OE)三个独立的控制信号,支持读写操作的精确时序控制。这种异步控制方式不依赖于时钟信号,因此适用于非同步总线架构,特别适合用于老式工控机、打印机、传真机、路由器等设备中。其宽广的工作电压范围(4.5V至5.5V)增强了电源适应性,在电源波动较大的环境中仍能稳定运行。
该芯片在制造过程中经过严格的质量控制和可靠性测试,具备良好的长期稳定性,能够在商业级温度范围内(0°C至+70°C)持续工作,满足大多数室内电子设备的应用需求。尽管当前市场上新型低电压、高速同步SRAM已逐渐普及,但MB81C78A-45由于其成熟的设计、稳定的供货历史和广泛的替代支持,仍在一些维护项目和旧设备替换中发挥重要作用。
MB81C78A-45主要用于需要中等容量、高速度、低功耗静态存储器的各种电子系统中。典型应用包括工业自动化控制系统中的数据缓冲存储,如PLC(可编程逻辑控制器)模块中用于暂存I/O状态信息;通信设备如调制解调器、交换机和路由器中用于包处理和协议栈数据缓存;办公自动化设备如打印机、复印机和扫描仪中用于图像数据临时存储和页面渲染处理。
此外,该芯片也常用于嵌入式系统中作为微控制器的外部扩展RAM,特别是在那些内部RAM不足但又需要较高实时响应性能的应用场景下。例如,在医疗监测仪器中,用于存储实时采集的生命体征数据;在测试测量仪器中,作为波形或采样数据的高速缓存区。
由于其异步接口特性,MB81C78A-45还被广泛应用于老旧设备的维修和升级项目中,作为原装SRAM的直接替换件。在教育领域,它也被用于教学实验板和单片机开发平台,帮助学生理解存储器的工作原理和总线时序控制机制。总之,该芯片凭借其成熟的技术、稳定的性能和广泛的兼容性,在多个行业中保持着持久的生命力。
IS61C88B-45LI
CY7C199-45JC
AS6C62256-55PCN1
MB81C78A-55
71V256SA15P