18081A911JAT2A 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
型号:18081A911JAT2A
类型:N沟道增强型MOSFET
封装:TO-263
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):45A
导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ
总栅极电荷(Qg):75nC
开关速度:快速开关
工作温度范围:-55℃至+175℃
18081A911JAT2A 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为1.8mΩ,有助于减少导通损耗,提高整体能效。
2. 高额定电流(45A),使其适合大电流应用场合。
3. 快速开关性能,总栅极电荷低至75nC,可以实现高频操作,满足现代电源设计需求。
4. 宽泛的工作温度范围(-55℃至+175℃),确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
5. 封装形式为TO-263,具备良好的散热性能,便于安装和使用。
18081A911JAT2A 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的功率开关,用于提升转换效率。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电动汽车及混合动力汽车的动力管理系统。
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品中作为关键功率器件。
IRF7727S,
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IXYS12N60C